[发明专利]两个超导体的末端件之间的超导连接和建立这种连接的方法

权利要求书

1.一种在至少两个超导体(12，22)的末端件(12，22a)之间的超导连接(10，20)，所述超导体各自具有由常导材料构成的基质(4)和至少一个由超导材料构成的导体引线(13，23)，其中，在套管(9)或套筒(6)中的连接区内，

所述末端件(12a，22a)的导体引线(13，23)以至少部分去除所述基质材料的方式进行布置，以及

还存在有超导接触材料(7)，所述超导接触材料至少位于所述导体引线(13，23)之间的区域内，

其特征在于，

所述接触材料(7)为二硼化镁(MgB₂)材料。

2.根据权利要求1所述的超导连接，其特征在于，

在低于所述MgB₂接触材料(7)39K的临界温度的温度下进行操作。

3.根据权利要求2所述的超导连接，其特征在于，约为4.2K的液氦温度下的工作温度。

4.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的超导连接，其特征在于，

所述超导导体引线(13，23)含有LTC(低T_c)超导材料。

5.根据权利要求2或3所述的超导连接，其特征在于，

所述超导导体引线(13，23)含有HTC(高T_c)超导材料。

6.根据上述权利要求中任一项权利要求所述的超导连接，其特征在于，

所述超导连接被布置到磁体的超导磁体绕组。

7.根据权利要求6所述的超导连接，其特征在于，

所述超导连接被布置到磁共振断层摄影系统的磁体的超导磁体绕组。

8.根据权利要求6或7所述的超导连接，其特征在于，

所述超导连接被布置到设计为用于持续电流模式的超导磁体绕组。

9.一种用于建立根据上述权利要求中任一项权利要求所述的超导连接的方法，其特征在于，

在待连接末端件(12a，22a)处，至少部分去除超导导体引线(13，23)上的基质材料，

将去除后的导体引线(13，23)装入套管(9)或套筒(6)内，

再将MgB₂接触材料(7)装入所述套管(9)或套筒(6)内，以及

减缩充填后的套管(9)或套筒(6)的截面。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

将粉末状MgB₂接触材料(7)装入所述套管(9)或套筒(6)内。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，

减缩截面之后或在减缩截面的过程中，对充填的套管(9)或套筒(6)进行热处理。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，

在低于600℃、优选地低于250℃的温度下进行所述热处理。