[发明专利]在基于氧化锡的半导体陶瓷中使用B2O3以减小其中的漏电流并可稳定其电性能

权利要求书

1.B₂O₃用于半导体陶瓷中以减小所述半导体材料的漏电流的用途，所 述半导体陶瓷包含氧化锡SnO₂作为基体金属氧化物和至少一种掺杂剂金 属氧化物。

2.权利要求1的用途，其中所述半导体陶瓷由作为其基体金属氧化物 的氧化锡SnO₂和至少一种掺杂剂金属氧化物组成。

3.权利要求1的用途，其中所述半导体陶瓷包括0.001重量％至0.03重 量％，优选0.08重量％至0.15重量％的B₂O₃。

4.根据前述权利要求任一所述的用途，其中所述陶瓷包含一种或多 种氧化物作为掺杂剂金属氧化物，所述氧化物选自下列金属的氧化物： 钴；锰；铌；过渡金属，例如锌，如果所述基体金属不是氧化锌；钽；以 及镧系金属。

5.权利要求4的用途，其中所述掺杂剂金属氧化物选自下列金属的氧 化物：钴、锰、铌、铬和钽。

6.权利要求5的用途，其中所述陶瓷包含下列金属氧化物作为掺杂剂 金属氧化物：氧化钴、氧化铬、氧化铌和氧化钽。

7.根据前述权利要求任一所述的用途，其中基体金属氧化物SnO₂、 掺杂剂金属氧化物和B₂O₃的重量比使得所述陶瓷中基体金属氧化物SnO₂的含量大于或等于90重量％，优选大于或等于95重量％，并且更优选大于 或等于99重量％。

8.权利要求7的用途，其中所述基体金属氧化物SnO₂和所述掺杂剂金 属氧化物的重量比使得可以获得这样的陶瓷，所述陶瓷中除了包含基体金 属氧化物SnO₂和B₂O₃外，为了凑足100％，其中还包含一种或多种以下列 重量百分比存在的氧化物：

·0.1％ to 3％的氧化钴；

·0.01％ to 3％的氧化铬；

·0.01％ to 3％的氧化锰；

·0.01％ to 0.5％的氧化铌；

·0.01％ to 0.5％的氧化钽；

·0.01％ to 0.5％的一种或多种过渡金属氧化物；以及

·0.01％ to 0.5％的一种或多种选自镧系的金属的氧化物，例如镧氧化 物。

9.B₂O₃用于半导体陶瓷中以稳定电性能并减小所述陶瓷的漏电流的用 途，所述半导体陶瓷包含氧化锡SnO₂作为基体金属氧化物和至少一种掺 杂剂金属氧化物。

10.权利要求9的用途，其中所述半导体陶瓷由作为其基体金属氧化 物的氧化锡SnO₂和至少一种掺杂剂金属氧化物组成。

11.权利要求9或10的用途，其中所述半导体陶瓷包括0.001重量％至 0.03重量％，优选0.08重量％至0.15重量％的B₂O₃。

12.根据权利要求9-11中任一所述的用途，其中所述陶瓷包含一种或 多种氧化物作为掺杂剂金属氧化物，所述氧化物选自下列金属的氧化物： 钴；锰；铌；过渡金属，例如锌；钽；以及镧系金属。

13.权利要求12的用途，其中所述掺杂剂金属氧化物选自下列金属的 氧化物：钴、铌、铬、钽和锰。

14.权利要求9-13中任一所述的用途，其中所述陶瓷包含下列金属氧 化物作为掺杂剂金属氧化物：氧化钴、氧化铬、氧化铌和氧化钽。