[发明专利]用于将铜电沉积在表面上的表面活性的条件性抑制剂无效
申请号: | 200780016279.0 | 申请日: | 2007-04-02 |
公开(公告)号: | CN101437983A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | D·米舍莱 | 申请(专利权)人: | 分子科技公司(TECMO) |
主分类号: | C25D3/38 | 分类号: | C25D3/38;C25D3/40 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 于 辉 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 将铜电 沉积 表面上 表面活性 条件 抑制剂 | ||
1.一种用于将铜电镀到阴极上的电解液,其特征在于它包含有效量的 具有通式(B)的聚(亚烷基-双胍)盐:
R-NH-C(:NH)-NH-[-(CH2)p-NH-C(:NH)-NH-C(:NH)-NH-]n-(CH2)p-NH2,xAH
其中:
-p是介于2和12之间的整数,
-n是介于2和100之间的整数,
-R-表示NC-或H2N-C(:O)-,
-AH表示酸,
-如果AH是一元酸,则x介于(n+1)和2(n+1)之间,如果AH是二元酸, 则x介于(n+1)/2和(n+1)之间。
2.根据权利要求1所述的用于将铜电镀到阴极上的电解液,其特征在 于在聚(亚烷基-双胍)盐的通式(B)中,
-p等于6,
-n介于6和20之间,
-R-表示NC-。
3.根据权利要求1或2所述的用于将铜电镀到阴极上的电解液,其特 征在于在通式(B)中AH表示硫酸。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的用于将铜电镀到阴极上的电 解液,其特征在于聚(亚烷基-双胍)盐浓度介于每升5 x 10-7摩尔和每升10-5摩尔之间。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的用于将铜电镀到阴极上的电 解液,其特征在于它含有选自巯基-烷基磺酸、二烷基二硫化二磺酸和它们 的盐的铜电解沉积促进剂。
6.一种用于将铜电镀到阴极上的方法,其特征在于由根据权利要求1 至5中任意一项所述的电解液开始获得沉积物。
7.根据权利要求6所述的用于将铜电镀到阴极上的方法,其特征在于 阴极包含亚微米凹陷。
8.根据权利要求6或7所述的用于将铜电镀到阴极上的方法,其特征 在于在所述阴极与电解液接触之前,在阳极和阴极之间施加电压。
9.一种阴极上的铜电沉积物,其特征在于它由根据权利要求1至5中 任意一项所述的电解液获得。
10.一种阴极上的铜电沉积物,其特征在于它由根据权利要求6至8中 任意一项所述的方法获得。
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