[发明专利]用于湿处理碟状基材的装置及方法无效
申请号: | 200780016297.9 | 申请日: | 2007-04-18 |
公开(公告)号: | CN101438383A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | A·利珀特;A·普法尤弗 | 申请(专利权)人: | SEZ股份公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 乔志员 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 基材 装置 方法 | ||
1.一种用于湿式处理碟状物件的装置,其包含有:
1.1第一碟件,
1.2固持构件,其用于固持一单一碟状物件,该单一碟状物件与该第一碟件基本上平行,
1.3第一配送构件,其用于在进行处理时将液体导入位于该第一碟件与该碟状物件之间的第一间隙,
其中该第一碟件是一硅碟件,该硅碟件包含有至少99wt%的硅,在该碟状物件被处理时,该硅碟件与处理液体进行接触。
2.如权利要求1所述的装置,其进一步包含至少一个超声波传导器,该超声波传导器至少被声学地联接至该硅碟件。
3.如权利要求1所述的装置,其进一步包含旋转构件,该旋转构件用于使得该固持构件与该第一碟件围绕一基本上垂直于该第一碟件的轴而彼此相对旋转。
4.如权利要求1所述的装置,其中该硅碟件由单晶硅制成。
5.如权利要求1所述的装置,其中该第一配送构件包含至少一个形成在硅碟件中的液体供给开口。
6.如权利要求2所述的装置,其具有一被联接至超声波传导器的共振碟件,其中该第一配送构件包含至少一个形成在硅碟件中的液体供给开口,且其中该共振碟件设置成与硅碟件平行,由此在该共振碟件和该硅碟件之间形成一第二间隙,并且该第二间隙是该处理液体供给路径的一部分。
7.如权利要求1所述的装置,其中在该硅碟件中并未形成开口。
8.如权利要求1所述的装置,其进一步包含有一第二液体供给构件,该第二液体供给构件用于将液体供给至该碟状物件未面对该第一碟件的侧边上。
9.如权利要求8所述的装置,其进一步包含一第二碟件,该第二碟件基本上平行于该第一碟件,藉此该第二液体供给构件被进行处理的时候,将液体导入介于该第二碟件和该碟状物件之间的间隙。
10.如权利要求2所述的装置,其中该超声波传导器直接地附接至该硅碟件。
11.如权利要求2所述的装置,其中该超声波传导器经由一耦合媒介而间接地联接至该硅碟件,该耦合媒介是选自于由固体和液体所构成的群组。
12.如权利要求11所述的装置,其中该耦合媒介是一耦合液体。
13.如权利要求11所述的装置,其中该耦合液体具有一与该处理液体的比阻抗差异少于5%的比阻抗Z。
14.如权利要求2所述的装置,其中该超声波传导器被联接至该硅碟件,以使得该超声波传导器与该硅碟件形成介于5°至50°的范围的角度。
15.一种用于对碟状物件进行湿式处理的方法,其包含有:
15.1固持一单一碟状物件,
15.2将一第一碟件带至与该碟状物件基本上平行的位置,
15.3在被进行处理时,将液体导入位于该第一碟件和一碟状物件之间的第一间隙,
其中该第一碟件是一硅碟件,其包含有至少99wt%的硅,该硅碟件与该处理液体进行接触。
16.如权利要求15所述的方法,其中一超声波能量经由硅碟件而施加至该碟状物件。
17.如权利要求15所述的方法,其中该碟状物件与该第一碟件围绕一基本上垂直于该第一碟件的轴而彼此相对旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造