[发明专利]拍摄位置校正方法、拍摄方法及基板拍摄装置有效
申请号: | 200780016466.9 | 申请日: | 2007-05-09 |
公开(公告)号: | CN101438397A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 河原木浩 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高少蔚;李 伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 拍摄 位置 校正 方法 装置 | ||
1.一种拍摄位置校正方法,具备:
使作为被拍摄体的基板与照相机相对移动的步骤;
拍摄步骤,响应拍摄触发,利用所述照相机拍摄被拍摄体的图像;
偏移量预测步骤,在所述拍摄步骤中拍摄所述基板上的图像时,基于所述基板与所述拍摄照相机的相对移动速度,预测要产生拍摄触发的位置与所述基板的拍摄位置的偏移量;以及
校正步骤,基于所述偏移量预测步骤中所预测的偏移量,将所述拍摄触发的产生时刻校正为所述照相机面对着从所述基板的拍摄位置起错开了校正量的位置的时刻,
在所述偏移量预测步骤中,基于所述基板与所述照相机的相对移动速度和移动距离来预测偏移量。
2.根据权利要求1所述的拍摄位置校正方法,其特征是,具备:
基准基板拍摄步骤,边使成为基准的基板与所述照相机相对移动,边拍摄所述成为基准的基板上的图像;以及
计测步骤,根据在所述基准基板拍摄步骤中所拍摄的图像,计测拍摄触发与所述成为基准的基板的拍摄位置的偏移量;
在所述偏移量预测步骤中,基于在所述计测步骤中所计测的偏移量,预测与所述基板和所述照相机的相对移动速度对应的拍摄触发与所述基板的拍摄位置的偏移量。
3.根据权利要求2所述的拍摄位置校正方法,其特征是,在所述基准基板拍摄步骤中,边以多个不同的速度使所述成为基准的基板与所述照相机相对移动,边拍摄所述成为基准的基板上的图像。
4.根据权利要求3所述的拍摄位置校正方法,其特征是,所述多个不同的速度包括以下2个方向的各方向上的多个不同的速度,该2个方向是在所述成为基准的基板的平面内正交的2个方向。
5.根据权利要求1所述的拍摄位置校正方法,其特征是,在所述偏移量预测步骤中预测的偏移量,包括基于所述基板和所述照相机与基准位置的相对位移的偏移量。
6.一种拍摄方法,具备:
使作为被拍摄体的基板与照相机相对移动的步骤;
拍摄步骤,响应拍摄触发,利用所述照相机拍摄被拍摄体的图像;以及
拍摄触发产生步骤,在基于所述基板与所述照相机的相对移动速度进行了校正的时刻,产生拍摄触发,
在所述拍摄触发产生步骤中,基于所述基板与所述照相机的相对移动速度和移动距离,来校正拍摄触发的产生时刻。
7.根据权利要求6所述的拍摄方法,其特征是,还具备偏移量预测步骤,在该偏移量预测步骤中,基于所述基板与所述照相机的相对移动速度和移动距离,预测要产生拍摄触发的位置与所述基板的拍摄位置的偏移量,
在所述拍摄触发产生步骤中,在照相机面对着从所述基板的拍摄位置向前错开在所述偏移量预测步骤中所预测的偏移量的位置的时刻,产生拍摄触发。
8.一种基板拍摄装置,其特征是,具备:
拍摄基板上的图像的拍摄机构;
移动机构,在拍摄所述基板上的图像时,使所述基板与所述拍摄机构相对移动;
偏移量预测机构,基于拍摄所述基板上的图像时的所述基板与所述拍摄机构的相对移动速度,预测由所述拍摄机构起动拍摄的拍摄触发与所述基板的拍摄位置的偏移量;以及
拍摄触发校正机构,将所述拍摄触发的产生位置从拍摄机构面对着基板的被拍摄对象区域的位置起错开由所述偏移量预测机构所预测的偏移量,
所述偏移量预测机构预测与所述基板和所述拍摄机构的相对移动速度及相对移动距离对应的偏移量。
9.根据权利要求8所述的基板拍摄装置,其特征是,所述基板拍摄装置具备:
基准基板拍摄机构,边使成为基准的基板与所述拍摄机构相对移动,边拍摄所述成为基准的基板上的图像;以及
计测机构,根据利用所述基准基板拍摄机构拍摄的图像,计测所述拍摄触发与所述成为基准的基板的拍摄位置的偏移量,
所述偏移量预测机构基于利用所述计测机构计测的偏移量,预测与所述基板和所述拍摄机构的相对移动速度对应的拍摄触发与所述基板的拍摄位置的偏移量。
10.根据权利要求9所述的基板拍摄装置,其特征是,所述基准基板拍摄机构边以多个不同的速度使所述成为基准的基板与所述拍摄机构相对移动,边拍摄所述成为基准的基板上的图像。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造