[发明专利]用于制造分离彩色滤光片的侧壁间隔物及对应图像传感器的方法无效
申请号: | 200780016627.4 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN101438411A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 里夏德·D·霍尔舍;乌尔里希·C·伯蒂格 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 分离 彩色 滤光 侧壁 间隔 对应 图像传感器 方法 | ||
1.一种形成彩色滤光片阵列的方法,所述方法包含以下步骤:
在像素阵列上形成钝化层;
在所述钝化层上形成多个间隔物,以界定彩色滤光片元件的区域;以及
在所述间隔物所界定的所述区域内形成多个所述彩色滤光片元件的图案。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述钝化层包含磷硅玻璃、氮化硅及氮氧化物中的一者。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述形成所述间隔物的步骤进一步包含:
在所述钝化层上形成第二层;
图案化所述第二层以形成暴露所述钝化层的顶部表面的区域;
在所述钝化层及所述经图案化的第二层的顶部上且沿所述经图案化的第二层的侧壁形成第三层;以及
通过移除所述第三层的部分以露出所述钝化层的顶部表面及通过移除所述第二层而从所述第三层形成所述间隔物。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述第二层包含含碳层。
5.根据权利要求3所述的方法,其中所述第二层包含碳。
6.根据权利要求3所述的方法,其中所述第二层包含氧化物、二氧化硅、氮化硅、氮氧化物及正硅酸四乙酯中的一者。
7.根据权利要求3所述的方法,其中所述第二层具有大约1,000到大约20,000的厚度。
8.根据权利要求3所述的方法,其中所述第三层包含不透明材料。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述第三层吸收入射光。
10.根据权利要求8所述的方法,其中所述第三层反射入射光。
11.根据权利要求3所述的方法,其中所述第三层包含多晶硅。
12.根据权利要求3所述的方法,其中所述第三层包含金属。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述第三层包含金属硅化物。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述第三层包含铝。
15.根据权利要求12所述的方法,其中所述第三层包含金属合金。
16.根据权利要求3所述的方法,其中所述第三层具有大约500到大约3,000的厚度。
17.根据权利要求3所述的方法,其中所述移除所述第三层的所述部分的步骤包含蚀刻。
18.根据权利要求3所述的方法,其进一步包含以下步骤:在像素阵列外部的外围区域处在所述钝化层上形成所述第三层。
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述第三层在所述外围区域上形成光阻挡物。
20.根据权利要求1所述的方法,其中所述彩色滤光片元件的图案包含红色滤光片元件、蓝色滤光片元件及绿色滤光片元件的图案。
21.一种彩色滤光片阵列,其包含:
彩色滤光片元件阵列,所述彩色滤光片元件通过形成于每一彩色滤光片元件之间的间隔物而彼此分离。
22.根据权利要求21所述的彩色滤光片阵列,其中所述彩色滤光片元件进一步包含红色滤光片元件、蓝色滤光片元件及绿色滤光片元件的图案。
23.根据权利要求21所述的彩色滤光片阵列,其中每一间隔物包含不透明材料。
24.根据权利要求23所述的彩色滤光片阵列,其中每一间隔物吸收入射光。
25.根据权利要求23所述的彩色滤光片阵列,其中每一间隔物反射入射光。
26.根据权利要求21所述的彩色滤光片阵列,其中每一间隔物包含多晶硅。
27.根据权利要求21所述的彩色滤光片阵列,其中每一间隔物包含金属。
28.根据权利要求27所述的彩色滤光片阵列,其中每一间隔物包含金属硅化物。
29.根据权利要求27所述的彩色滤光片阵列,其中每一间隔物包含铝。
30.根据权利要求27所述的彩色滤光片阵列,其中每一间隔物包含金属合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的