[发明专利]双轴取向聚亚芳基硫醚薄膜

权利要求书

1.双轴取向聚亚芳基硫醚薄膜，其包含熔融结晶化温度为160℃以 上、220℃以下的聚亚芳基硫醚树脂组合物，并含有与聚亚芳基硫醚不同 的、选自聚苯醚、聚醚酰亚胺、聚醚砜和聚砜的至少一种的聚合物，所述 选自聚苯醚、聚醚酰亚胺、聚醚砜和聚砜的至少一种的聚合物是平均分散 直径为50～500nm的分散相，以聚亚芳基硫醚和所述选自聚苯醚、聚醚 酰亚胺、聚醚砜和聚砜的至少一种的聚合物的含量之和作为100重量份 时，聚亚芳基硫醚的含量为70-99重量份，所述选自聚苯醚、聚醚酰亚胺、 聚醚砜和聚砜的至少一种的聚合物的含量为1-30重量份，200℃时薄膜的 长度方向或者宽度方向的、按照ASTM-D882中规定的方法得到的断裂 应力为30MPa以上、90MPa以下，200℃时薄膜的长度方向或者宽度方 向的、按照ASTM-D882中规定的方法得到的断裂伸长率为100％以上、 250％以下，

选自聚苯醚、聚醚酰亚胺、聚醚砜和聚砜的至少一种的聚合物的玻璃 化转变温度为150℃以上且在聚亚芳基硫醚的熔点以下，

所述双轴取向聚亚芳基硫醚薄膜是将树脂组合物熔融成膜而成的，所 述树脂组合物是将含有聚亚芳基硫醚、选自聚苯醚、聚醚酰亚胺、聚醚砜 和聚砜的至少一种的聚合物和0.05～3重量份具有选自环氧基、氨基、异 氰酸酯基的至少1种基团的相容剂的原材料进行混炼而成的，

其中，分散相的平均分散直径是指薄膜长度方向的直径和宽度方向的 直径与厚度方向的直径的平均值，将薄膜沿(a)与长度方向平行且与薄 膜面垂直的方向、(b)与宽度方向平行且与薄膜面垂直的方向、(c)与薄 膜面平行的方向进行切割，利用超薄切片法制备样品，为了明确分散相的 对比度，根据需要用锇酸或钌酸、磷钨酸染色，使用日立制造H-7100FA 型透射型电子显微镜，在加压电压100kV的条件下观察切割面，用2万 倍拍摄照片，将所得照片以图像的形式输入图像分析仪，选择任意的100 个分散相，根据需要进行图像处理，采用如下所示方法求得：

求出(a)的截面上出现的各个分散相在薄膜厚度方向的最大长度(1a) 和长度方向的最大长度(1b)、(b)的截面上出现的各分散相在薄膜厚度 方向的最大长度(1c)和宽度方向的最大长度(1d)、(c)的截面上出现 的各分散相在薄膜长度方向的最大长度(1e)和宽度方向的最大长度(1f)， 接着在分散相的形状指数I＝(1b的数平均值+1e的数平均值)/2、形状指 数J＝(1d的数平均值+1f的数平均值)/2、形状指数K＝(1a的数平均值 +1c的数平均值)/2时，分散相的平均分散直径为(I+J+K)/3，另外，当 一个图像中分散相低于100个时，可观察相同方向的其它切割面，选择 100个分散相。

2.如权利要求1所述的双轴取向聚亚芳基硫醚薄膜，其中，200℃时 薄膜的长度方向和宽度方向的断裂应力为30MPa以上、90MPa以下，200 ℃时薄膜的长度方向和宽度方向的断裂伸长率为120％以上、250％以下。

3.如权利要求1所述的双轴取向聚亚芳基硫醚薄膜，其中，熔融结 晶化温度为170℃以上、220℃以下。

4.如权利要求1所述的双轴取向聚亚芳基硫醚薄膜，其中，200℃时 薄膜的长度方向和宽度方向的断裂应力为30MPa以上、70MPa以下，200 ℃时薄膜的长度方向和宽度方向的断裂伸长率为130％以上、230％以下。

5.如权利要求1所述的双轴取向聚亚芳基硫醚薄膜，其中，在包含 选自聚苯醚、聚醚酰亚胺、聚醚砜和聚砜的至少一种的聚合物的分散相的 界面含有包含硅氧烷键的硅原子。

6.如权利要求1所述的双轴取向聚亚芳基硫醚薄膜，其中，聚亚芳 基硫醚是聚苯硫醚。

7.如权利要求1所述的双轴取向聚亚芳基硫醚薄膜，其中，薄膜的 厚度为6μm以上、500μm以下。

8.如权利要求1所述的双轴取向聚亚芳基硫醚薄膜，其中，薄膜的 厚度为20μm以上、500μm以下。