[发明专利]含锂过渡金属氧化物靶及其制造方法以及锂离子薄膜二次电池有效

专利信息
申请号: 200780016817.6 申请日: 2007-04-27
公开(公告)号: CN101495666A 公开(公告)日: 2009-07-29
发明(设计)人: 长濑隆一;梶谷芳男 申请(专利权)人: 日矿金属株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;H01M4/04;H01M4/58;H01M10/40
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 樊卫民;郭国清
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 过渡 金属 氧化物 及其 制造 方法 以及 锂离子 薄膜 二次 电池
【权利要求书】:

1.一种含锂过渡金属氧化物靶,其为用于形成锂离子二次电池用 薄膜的溅射靶,由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构 成,其中,烧结体的相对密度为90%以上、平均结晶粒径为1μm以上、 50μm以下。

2.如权利要求1所述的含锂过渡金属氧化物靶,其中,通过使用 Cu Kα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的强度比满 足下述条件:

(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下;

(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。

3.如权利要求1或2所述的含锂过渡金属氧化物靶,其中,过渡 金属选自Ni、Co、Mn中的至少一种。

4.一种制造含锂过渡金属氧化物靶的方法,所述靶用于形成锂离 子二次电池用薄膜,在所述方法中,使作为前驱体的含锂过渡金属盐 的Li/过渡金属的摩尔比为1.1以上、1.3以下,将其在800~1100℃的 氧化处理温度下氧化而生成晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物, 将该含锂过渡金属氧化物成型、并以高于所述氧化处理温度150~250 ℃的烧结温度进行烧结,制造相对密度为90%以上、平均结晶粒径为 1μm以上、50μm以下的烧结体。

5.如权利要求4所述的制造含锂过渡金属氧化物靶的方法,其中, 通过使用Cu Kα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的 强度比满足下述条件:

(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下;

(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。

6.如权利要求4或5所述的制造含锂过渡金属氧化物靶的方法, 其中,过渡金属选自Ni、Co、Mn中的至少一种。

7.一种制造锂离子二次电池用薄膜的方法,通过溅射权利要求 1~3中任一项所述的含锂过渡金属氧化物靶,使含锂过渡金属氧化物 成为正极活性物质。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日矿金属株式会社,未经日矿金属株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780016817.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top