[发明专利]含锂过渡金属氧化物靶及其制造方法以及锂离子薄膜二次电池有效
申请号: | 200780016817.6 | 申请日: | 2007-04-27 |
公开(公告)号: | CN101495666A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 长濑隆一;梶谷芳男 | 申请(专利权)人: | 日矿金属株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;H01M4/04;H01M4/58;H01M10/40 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;郭国清 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 过渡 金属 氧化物 及其 制造 方法 以及 锂离子 薄膜 二次 电池 | ||
1.一种含锂过渡金属氧化物靶,其为用于形成锂离子二次电池用 薄膜的溅射靶,由晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物的烧结体构 成,其中,烧结体的相对密度为90%以上、平均结晶粒径为1μm以上、 50μm以下。
2.如权利要求1所述的含锂过渡金属氧化物靶,其中,通过使用 Cu Kα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的强度比满 足下述条件:
(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下;
(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。
3.如权利要求1或2所述的含锂过渡金属氧化物靶,其中,过渡 金属选自Ni、Co、Mn中的至少一种。
4.一种制造含锂过渡金属氧化物靶的方法,所述靶用于形成锂离 子二次电池用薄膜,在所述方法中,使作为前驱体的含锂过渡金属盐 的Li/过渡金属的摩尔比为1.1以上、1.3以下,将其在800~1100℃的 氧化处理温度下氧化而生成晶系为六方晶系的含锂过渡金属氧化物, 将该含锂过渡金属氧化物成型、并以高于所述氧化处理温度150~250 ℃的烧结温度进行烧结,制造相对密度为90%以上、平均结晶粒径为 1μm以上、50μm以下的烧结体。
5.如权利要求4所述的制造含锂过渡金属氧化物靶的方法,其中, 通过使用Cu Kα射线的X射线衍射测得的(003)面、(101)面、(104)面的 强度比满足下述条件:
(1)(101)面相对于(003)面的峰值比为0.4以上、1.1以下;
(2)(101)面相对于(104)面的峰值比为1.0以上。
6.如权利要求4或5所述的制造含锂过渡金属氧化物靶的方法, 其中,过渡金属选自Ni、Co、Mn中的至少一种。
7.一种制造锂离子二次电池用薄膜的方法,通过溅射权利要求 1~3中任一项所述的含锂过渡金属氧化物靶,使含锂过渡金属氧化物 成为正极活性物质。
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