[发明专利]制备用于薄膜太阳能电池制造及其相应装置的前体膜和化合物层的技术

权利要求书

1.衬底型薄膜太阳能电池，其包含：

片状衬底；

置于该片状衬底上方的CIGS吸收层，其中该CIGS吸收层包括铜 (Cu)、铟(In)、镓(Ga)和硒(Se)；

置于该片状衬底与该CIGS吸收层之间的欧姆接触层，其中该欧姆 接触层包括厚度为50-1000nm的钌(Ru)层；和

置于该CIGS吸收层上的透明导电层，并且进行配置使得光穿过该 透明导电层进入太阳能电池。

2.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述透明导电层包含硫化 镉(CdS)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO) 中的至少一种。

3.根据权利要求1的太阳能电池，其中与CIGS吸收层的界面处 的所述Ru层的一部分是Ru的硒化物和/或硫化物的形式。

4.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述衬底是不锈钢和铝之 一。

5.根据权利要求1的太阳能电池，其中所述衬底是绝缘片。

6.根据权利要求2的太阳能电池，其中所述透明导电层是 CdS/ZnO叠层。

7.衬底型薄膜太阳能电池，其包含：

片状衬底；

置于该片状衬底上方的CIGS吸收层，其中该CIGS吸收层包括铜 (Cu)、铟(In)、镓(Ga)和硒(Se)；

置于该片状衬底与该CIGS吸收层之间的欧姆接触层，其中所述欧 姆接触层包括多个层，下欧姆接触层和上欧姆接触层，下欧姆接触层 包括Mo并且上欧姆接触层包括Ru的化合物，并且其中所述上欧姆接 触层夹在CIGS吸收层和下欧姆接触层之间；和

置于该CIGS吸收层上的透明导电层，并且进行配置使得光穿过该 透明导电层进入太阳能电池。

8.根据权利要求7的太阳能电池，其中所述下欧姆接触层是形成 于所述片状衬底上的钼(Mo)层。

9.制造太阳能电池的方法，该方法包括步骤：

在片状衬底的上表面上方形成欧姆接触层，所述欧姆接触层包括 厚度为50-1000纳米的钌(Ru)层；

在该欧姆接触层上方形成CIGS吸收层，形成CIGS吸收层的步骤 包括步骤：

在欧姆接触层的上表面上沉积一组相异层，该组相异层包 括至少4个层，其中2个层是一对由Cu、In和Ga之一制成的 非相邻层，而另2个层由Cu、In和Ga中剩余的两种制成；和 处理该组相异层以形成CIGS吸收层；和

在该吸收层上形成透明导电层。

10.根据权利要求9的方法，其中沉积一组相异层的步骤将它们 按Cu/In/Cu/Ga或Cu/Ga/Cu/In顺序进行沉积，使得成对的非相邻层 是Cu。

11.根据权利要求10的方法，其中沉积步骤用电沉积进行。

12.根据权利要求9的方法，其中沉积步骤用电沉积进行。

13.根据权利要求12的方法，其中沉积步骤包括沉积VIA族材 料的步骤，并且其中处理步骤致使VIA族材料与Cu、In和Ga以及欧 姆接触层反应，从而形成欧姆接触层和CIGS吸收层之间的界面层，该 界面层包含Ru与VIA族材料的化合物。

14.根据权利要求13的方法，其中片状衬底的上表面包含Mo。

15.根据权利要求9的方法，其中所述片状衬底包括不锈钢箔。

16.制造太阳能电池的方法，该太阳能电池将光能转变成电能， 该方法包括步骤：

在片状衬底上形成欧姆接触层，该欧姆接触层包含厚度为 50-1000纳米的钌(Ru)层；

在该欧姆接触层的表面上形成半导体吸收层，其中该半导体吸收 层包含铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)和硒(Se)；和

在该半导体吸收层上方形成透明导电层。