[发明专利]SOI晶片的评价方法

权利要求书

1.一种SOI晶片的评价方法，是评价SOI晶片的埋入扩散层的薄片电阻的方法，该SOI晶片至少在其绝缘层上具有SOI层，且在上述SOI层与上述绝缘层的界面区域，具有其杂质浓度比上述SOI层的其他部分高的埋入扩散层，该评价方法的特征是具备：

测定步骤，测定上述SOI晶片整体的薄片电阻，及

估计步骤，将该SOI晶片整体的薄片电阻测定的测定结果当作是上述SOI晶片的各层各自并列连接而构成的电阻来进行换算，以此估计上述埋入扩散层的薄片电阻；

其中上述测定步骤具备以下步骤：

涡电流形成步骤，对上述SOI晶片的单面侧照射交流磁场的磁力线，根据上述交流磁场在上述SOI晶片形成涡电流，

磁场变化量测定步骤，在与照射上述磁力线的面的相反面侧，测定对应由于上述涡电流的形成而产生的涡流损耗的磁场变化量，及

算出步骤，根据上述测定的磁场变化量来算出上述SOI晶片整体的薄片电阻。

2.一种SOI晶片的评价方法，是评价SOI晶片的埋入扩散层的薄片电阻的方法，该SOI晶片至少在其绝缘层上具有SOI层，且在上述SOI层与上述绝缘层的界面区域，具有其杂质浓度比上述SOI层的其他部分高的埋入扩散层，该评价方法的特征是具备：

测定步骤，在上述SOI层表面，应用四探针法，来测定上述SOI层整体的薄片电阻；及

估计步骤，将该SOI层整体的薄片电阻测定的测定结果当作是上述SOI晶片的各层各自并列连接而构成的电阻来进行换算，以此估计上述埋入扩散层的薄片电阻。