[发明专利]具有改进的保护层的焊头有效
申请号: | 200780017217.1 | 申请日: | 2007-06-19 |
公开(公告)号: | CN101443885A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | G·古尔;Z·阿兹蒙;B·索南赖克;H·伊兹哈基 | 申请(专利权)人: | 库利克和索夫工业公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B23K20/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 刘佳斐;蔡胜利 |
地址: | 美国宾*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 保护层 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求2006年7月3日提交的美国临时申请60/806,503和2007 年1月15日提交的美国临时申请60/884,920的优先权,这些申请的内容 在这里以引用的方式加入。
技术领域
本发明涉及一种用来形成线环的焊头,尤其涉及一种具有改进的保护 层(finish)的焊头。
背景技术
在半导体设备的生产和封装中,引线接合(wire bonding)一直是在 封装内的两个位置之间(例如,在半导体模的压料垫和引线框架的导线之 间)提供电互连的主要方法。为了形成线环以提供这种互连,因此典型地 使用焊头(例如毛细管焊头、楔形焊头等等)。
传统焊头典型地具有磨光表面。这个磨光表面包括焊头的尖端部分。 某些焊头制造商也提供“不光滑”的保护层焊头,在该焊头中,不光滑的 保护层是粗糙的表面。
在引线接合工业中,具有这样开发的连续压力,即提供改进的结果如 提高引线接合强度(例如第一接合强度、第二接合强度等等),减少接合工 作的帮助率,减少线环中的可变性等等。
因此,提供改进的焊头以提供改进的引线接合操作结果是理想的。
发明内容
根据本发明的示例性实施例,提供一种包括终止于尖端部分的主体部 分的焊头。该尖端部分由一种材料形成,其中该材料的颗粒结构暴露于该 尖端部分的至少一部分。
根据本发明的另一个示例性实施例,提供了一种包括终止于尖端部分 的主体部分的焊头。尖端部分的至少一部分表面限定出若干微粒,其中这 些微粒的密度为至少15微米^-2,及其中在限定出若干微粒的该尖端部分的 该部分的表面粗糙度平均值为至少0.03微米。
附图说明
在结合附图来阅读时,通过下面的详细描述可以更好地理解本发明。 应该强调的是,根据一般惯例,附图的各种各样特征不能测量。相反,各 种各样的特征的尺寸出于清楚起见可以任意地扩大或者减小。下面的图包 括在附图中:
图1A是可以设置有本发明示例实施例的改进表面的焊头的侧剖视图;
图1B是图1A的一部分焊头的详细视图;
图2A是设置有本发明示例性实施例的改进表面的另一个焊头的侧剖视 图;
图2B是图2A的一部分焊头的详细视图;
图2C是图2A的一部分焊头的透视图;
图3是本发明示例性实施例的焊头的尖端部分的透视图;
图4A是本发明的示例性实施例的焊头的一部分尖端部分的详细视图;
图4B是本发明的另一个示例性实施例的焊头的一部分尖端部分的详细 视图;
图4C是本发明另一个示例性实施例的焊头的一部分尖端部分的详细视 图;
图5是有利于理解本发明的示例性焊头表面的粗糙表面的接触模型的 曲线图;
图6A是本发明的示例性实施例的焊头的尖端部分的透视照片;
图6B是图6A中的一部分的详细视图;
图7A是本发明的另一个示例性实施例的焊头的尖端部分的透视图;
图7B是图7A中的一部分的详细视图;
图7C是图7A中的一部分的另一个详细视图;
图8A是使用本发明的示例性实施例的焊头所形成的线环的第二接头的 照片;
图8B是使用本发明示例性实施例的焊头所形成的线环的第一接头的照 片;
图9A是比较传统焊头和本发明的示例性实施例的焊头的缝合拉伸试验 结果的曲线图;
图9B是图9A的曲线图中的数据的图表;
图10A是根据本发明的示例性实施例所形成的线环的第二接头的照片;
图10B是图10A中的一部分的详细视图;
图11A是本发明的示例性实施例的焊头的尖端部分的透视图照片;
图11B是本发明的另一个示例性实施例的另一个焊头的尖端部分的透 视图照片;
图12A是比较传统焊头和本发明的示例性实施例的两个焊头的缝合拉 伸试验结果的Cpk的曲线图;
图12B是图12A的曲线图中的数据的图表;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造