[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管触点金属化

权利要求书

1.一种制造包括半导体器件的结构的方法，所述方法包括：

在包括第一绝缘体和邻接于所述第一绝缘体的接触区的不平坦的表面 上沉积第一阻挡层，其中所述第一阻挡层沉积在所述第一绝缘体的所有暴露 表面上，所述第一阻挡层还沉积在所述第一绝缘体与第二绝缘体之间的基板 的暴露表面上；

在所述第一阻挡层上沉积第一金属化层；

蚀刻所述第一金属化层，以在所述接触区中形成电触点，其中，所述第 一阻挡层的表面和所述电触点的表面形成基本平齐的表面，并且其中，所述 第一阻挡层位于所述电触点与所述基板之间，其中所述半导体器件位于所述 基板中靠近所述第一绝缘体并在所述第一绝缘体下方，其中所述半导体器件 物理上与所述电触点隔离，但电耦合到所述电触点；以及

在所述蚀刻步骤之后，在所述基本平齐的表面上沉积第二阻挡层，其中 所述第一阻挡层位于所述第一绝缘体和第二绝缘体和所述第二阻挡层之间。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属化层包括钨。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属化层是利用化学气 相沉积法沉积的。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件包括功率金属氧 化物半导体场效应晶体管。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述蚀刻步骤之后，沉积第二金属化层；以及

蚀刻所述第二金属化层，以形成耦合于所述电触点的电连接器。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述第二金属化层包括铝。

7.一种结构，包括：

形成于所述基板上并与所述基板接触的绝缘体；

耦合于所述绝缘体的电触点；

第一阻挡层，其位于所述绝缘体的表面上、靠近所述绝缘体处的所述基 板上、所述电触点与所述基板之间，以及所述电触点与所述绝缘体之间；

第二阻挡层，其沉积在所述第一阻挡层和所述电触点的表面上，其中所 述第一阻挡层位于所述绝缘体和所述第二阻挡层之间；以及

半导体器件，位于所述基板中靠近所述绝缘体并在所述绝缘体下方，其 中所述半导体器件物理上与所述电触点隔离，但电耦合到所述电触点。

8.如权利要求7所述的结构，其中，所述半导体器件包括功率金属氧化 物半导体场效应晶体管。

9.如权利要求7所述的结构，其中，所述电触点包括钨。

10.如权利要求7所述的结构，进一步包括耦合于所述电触点的电连接 器。

11.如权利要求7所述的结构，其中，所述电连接器包括铝。

12.如权利要求7所述的结构，其中，所述电触点的宽度在大约0.35-0.50 微米的范围内，所述宽度是在平行于所述电触点的所述表面的方向测量的。

13.一种结构，包括：

耦合于基板的第一绝缘体和第二绝缘体；

半导体器件，其位于所述基板中靠近所述第一绝缘体并在所述第一绝缘 体下方；

电触点，其物理上由所述基板与所述半导体器件隔开但电耦合于所述半 导体器件，其中，所述电触点包括钨；

第一阻挡层，其位于所述第一绝缘体和所述第二绝缘体的表面上并接触 所述第一绝缘体和所述第二绝缘体的表面、位于所述第一绝缘体和所述第二 绝缘体和所述电触点之间并接触所述第一绝缘体和所述第二绝缘体和所述 电触点、还位于所述电触点和所述基板之间并接触所述电触点和所述基板， 其中，所述第一阻挡层的表面和所述电触点的表面形成基本平齐的表面；

第二阻挡层，其沉积在所述第一阻挡层和所述电触点的表面上并接触所 述第一阻挡层和所述电触点的表面，其中所述第一阻挡层位于所述第一绝缘 体、所述第二绝缘体和所述第二阻挡层之间并接触所述第一绝缘体、所述第 二绝缘体和所述第二阻挡层；以及

耦合于所述电触点的电连接器，其中，所述电连接器包括铝。