[发明专利]抗蚀剂膜剥离方法、掩膜基板的制造方法及转印掩膜的制造方法

权利要求书

1.一种掩模基板的制造方法，包括：

制作下述的掩模基板的工序，所述掩模基板具有基板、形成于该基板 上的成为转印图案的转印图案用薄膜和形成于该转印图案用薄膜上的抗 蚀剂膜；

根据所述掩模基板的显影前的所述抗蚀剂膜的灵敏度改变、该抗蚀剂 膜表面的缺陷或该抗蚀剂膜的涂布异常而判断所述掩模基板为不合格或 不能使用的掩模基板时，进行使臭氧溶解而成的臭氧水与显影前的所述抗 蚀剂膜接触而使该抗蚀剂膜溶解的臭氧水处理，由此，将形成于所述掩模 基板的显影前的所述抗蚀剂膜剥离的工序；以及

通过在所述转印图案用薄膜上形成新的抗蚀剂膜，从而再利用所述基 板和所述转印图案用薄膜来制作新的掩模基板的工序。

2.根据权利要求1所述的掩模基板的制造方法，其特征在于，所述 转印图案用薄膜由含有铬的材料形成。

3.根据权利要求1所述的掩模基板的制造方法，其特征在于，所述 转印图案用薄膜中，在上层设有含有氧和/或氮的具有防反射功能的防反射 层。

4.根据权利要求3所述的掩模基板的制造方法，其特征在于，所述 防反射层中的氧和/或氮的含量为40原子％以上。

5.根据权利要求1所述的掩模基板的制造方法，其特征在于，在所 述臭氧水处理之前，使酸性或碱性水溶液与所述抗蚀剂膜接触，使所述抗 蚀剂膜的膜厚变薄后，进行所述臭氧水处理。

6.根据权利要求1所述的掩模基板的制造方法，其特征在于，通过 所述臭氧水处理将所述抗蚀剂膜剥离后，再用气体溶解水进行气体溶解水 处理。

7.根据权利要求1所述的掩模基板的制造方法，其特征在于，所述 臭氧水处理中，采用臭氧以25～110ppm溶解而成的臭氧水。

8.根据权利要求1所述的掩模基板的制造方法，其特征在于，所述 掩模基板是KrF准分子激光曝光用掩模基板、ArF准分子激光曝光用掩模 基板、F2准分子激光曝光用掩模基板或EUV曝光用掩模基板。

9.一种转印掩模的制造方法，其特征在于，其是使用由权利要求1 所述的制造方法所制造的掩模基板来制造转印掩模的方法，其中，

对所述新抗蚀剂膜进行选择性曝光、显影而形成抗蚀剂图案后，以该 抗蚀剂图案为掩模，将所述转印图案用薄膜图案化而形成转印图案。