[发明专利]模块化化学气相沉积(CVD)反应器无效
申请号: | 200780017561.0 | 申请日: | 2007-06-26 |
公开(公告)号: | CN101443475A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | B·H·伯罗斯;C·R·梅茨纳;D·L·笛玛斯;R·N·安德森;J·M·查新;D·K·卡尔森;D·M·石川;J·坎贝尔;R·O·柯林斯;K·M·马吉尔;I·阿夫扎尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;H01L21/306 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆 嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模块化 化学 沉积 cvd 反应器 | ||
1.一种模块化半导体处理单元,包括:
腔室,具有注入盖;
气体面板模块,被配置成通过所述注入盖将一种或多种处理气体供 应至所述腔室,其中所述气体面板模块邻近所述注入盖放置;以及
灯模块,其置于所述腔室下方,所述灯模块具有多个垂直定位灯。
2.如权利要求1所述的模块化半导体处理单元,其特征在于,所述 气体面板模块被置于距离所述腔室的所述注入盖约一英尺处。
3.如权利要求1所述的模块化半导体处理单元,其特征在于,所述 腔室包括腔室主体以及绞接至所述腔室主体的腔室盖。
4.如权利要求1所述的模块化半导体处理单元,进一步包括置于所 述腔室上方的紫外光辅助模块和远程等离子体发生器之一。
5.如权利要求1所述的模块化半导体处理单元,进一步包括置于所 述腔室上方的上方反射器模块。
6.如权利要求5所述的模块化半导体处理单元,其特征在于,所述 上方反射器模块为水冷式。
7.如权利要求5所述的模块化半导体处理单元,其特征在于,所述 上方反射器模块为气冷式。
8.如权利要求1所述的模块化半导体处理单元,其特征在于,所述 腔室包括至少为2英寸的排气管路。
9.如权利要求1所述的模块化半导体处理单元,其特征在于,所述 气体面板模块包括一个或多个模块化气体板。
10.如权利要求1所述的模块化半导体处理单元,进一步包括耦联 至所述腔室及所述灯模块的气冷模块。
11.如权利要求1所述的模块化半导体处理单元,进一步包括邻近 所述腔室设置的水分配模块。
12.如权利要求1所述的模块化半导体处理单元,进一步包括邻近 所述腔室设置的AC(交流电)分配模块。
13.如权利要求1所述的模块化半导体处理单元,进一步包括邻近 所述腔室设置的电子模块。
14.一种用于处理半导体基板的群集式工具,包括:
中央传输室,具有中央机械手;
至少一个加载锁,用工厂接口连接至所述中央传输室;以及
一个或多个模块化处理单元,被附连至所述中央传输室,其中所述 一个或多个模块化处理单元包括:
处理室,具有注入盖及排气装置,所述处理室被配置成处理设 置在其中的所述这些半导体基板;
气体面板模块,其邻近所述处理室的所述注入盖放置;
灯模块,具有多个置于所述处理室下方的垂直定位灯;以及
上方处理模块,置于所述处理室的上方。
15.如权利要求14所述的群集式工具,其特征在于,所述气体面 板模块被置于距离所述处理室的所述注入盖约一英尺处。
16.如权利要求14所述的群集式工具,其特征在于,所述上方处 理模块包括上方反射器模块、紫外光辅助模块以及远程等离子体发生器 之一。
17.如权利要求14所述的群集式工具,其特征在于,所述模块化 处理单元进一步包括耦联至所述处理室的气冷模块。
18.一种用于处理半导体基板的腔室,包括:
腔室主体,限定一处理容积并具有注入盖以及排出孔;
腔室盖,被绞接至所述腔室主体;
气体面板模块,被配置成将处理气体提供至所述腔室,并置于距离 所述注入盖约一英尺处;
垂直灯模块,被配置成加热所述处理容积,并置于所述腔室主体的 下方;
气冷模块,其与所述腔室主体连接;以及
上方反射器模块,置于所述腔室盖的上方。
19.如权利要求18所述的腔室,其特征在于,所述气体面板模块 被配置成将两种载气提供至所述腔室。
20.如权利要求18所述的腔室,进一步包括:
电子模块;
AC分配模块;以及
水分配模块。
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