[发明专利]用于制备用于安装的半导体发光器件的方法有效
申请号: | 200780017845.X | 申请日: | 2007-05-08 |
公开(公告)号: | CN101449396A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | O·B·施彻金;X·孙;D·孙 | 申请(专利权)人: | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李静岚;谭祐祥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 安装 半导体 发光 器件 方法 | ||
1.一种用于制备用于安装的半导体发光器件的方法,所述发光器件具有用于安装至基板的安装面,所述方法包括:
处理所述发光器件除安装面之外的至少一个表面以降低所述至少一个表面的表面能量,使得当安装所述发光器件时,阻止了施加在安装面和基板之间的底部填充材料污染所述至少一个表面。
2.根据权利要求1所述的方法,其中处理所述至少一个表面包括处理所述发光器件的至少一个侧壁表面。
3.根据权利要求1所述的方法,其中处理所述至少一个表面包括处理所述发光器件的至少一个发光表面。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述发光器件包括主要发光表面和至少一个次要发光表面,所述次要发光表面可用于相比所述主要发光表面发射较少的光,并且其中所述处理包括处理所述至少一个次要发光表面。
5.根据权利要求2所述的方法,其中处理所述至少一个表面包括处理所述发光器件形成在其上的透明衬底的侧壁。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述处理包括向所述发光器件的所述至少一个表面施加处理材料。
7.根据权利要求6所述的方法,其中施加所述处理材料包括施加包括有机分子和可蒸发溶剂的处理材料。
8.根据权利要求7所述的方法,其中施加所述处理材料包括施加在氟溶剂中包括碳氟化合物的处理材料。
9.根据权利要求8所述的方法,其中施加所述处理材料包括施加包括重量百分比小于15%的碳氟化合物的处理材料。
10.根据权利要求6所述的方法,其中施加所述处理材料包括以下之一:
将所述至少一个表面浸蘸在液体处理材料中;
将所述处理材料喷射在所述至少一个表面上;以及
邻近所述至少一个表面生成液体处理材料的薄雾,该薄雾可用于将所述液体处理材料涂敷所述至少一个表面。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述浸蘸包括将所述至少一个表面浸蘸在液体处理材料中,所述液体处理材料包括选择性地附着于所述至少一个表面的组分。
12.根据权利要求1所述的方法,进一步包括选择性地处理基板以降低基板的至少一部分的表面能量,使得在安装所述发光器件时,阻止底部填充材料污染基板的所述部分。
13.根据权利要求12所述的方法,其中选择性地处理基板包括选择性地处理包括陶瓷材料和硅材料之一的基板。
14.根据权利要求12所述的方法,其中选择性地处理基板包括:施加处理材料到基板;
将基板的一区域暴露于电磁辐射以选择性地改变该区域上的所述处理材料的特性,所述变化导致基板的所述选择性暴露的区域和基板的未暴露的区域之一具有降低的表面能量。
15.根据权利要求1所述的方法,其中所述安装面包括至少一个电极表面,并且所述方法还包括将所述至少一个电极表面结合于基板上对应的传导表面,使得所述安装面与基板隔开。
16.根据权利要求15所述的方法,进一步包括对所述隔开安装表面与基板的间隙进行底部填充。
17.一种用于将半导体发光器件安装在基板上的方法,该方法包括:
将包括多个发光器件的晶片粘结安装在介质上,与发光器件中的每一个关联的安装面与所述介质接触;
将所述晶片切分成单独的发光器件,所述单独的发光器件保持与所述介质接触并具有相邻分隔开的暴露表面;
处理所述单独的发光器件的所述暴露表面以降低所述暴露面的表面能量;
将所述发光器件从所述介质去除;
将发光器件的安装面结合于基板;
用底部填充材料来底部填充安装面与基板之间的间隙,阻止所述底部填充材料污染发光面的所述处理过的暴露面。
18.根据权利要求17所述的方法,进一步包括在所述处理之前拉伸所述介质以导致所述单独的发光器件之间的间隔扩大,以进一步地有助于所述处理。
19.根据权利要求17所述的方法,其中切分晶片包括使用切分刀片切分晶片,所述切分刀片具有的宽度足以导致所述切分之后所述暴露的表面充分隔开以有助于对所述暴露表面的所述处理。
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