[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

半导体层；

在所述半导体层的表面形成的第1导电型半导体区域；

在所述半导体层的所述表面，在所述第1导电型半导体区域的周围形成的第2导电型半导体区域；以及

具有与所述第1导电型半导体区域和第2导电型半导体区域接触的导电面的导电体，其中，

所述半导体层包含碳化硅；

所述第1导电型半导体区域和所述导电面中至少一个不是圆；

所述第1导电型半导体区域和所述导电面，分别具有随着所述导电面和所述第1导电型半导体区域之间的位置匹配的偏移量从零增加到所述导电面的宽度的1/3，所述导电面的轮廓中横切所述第1导电型半导体区域的部分的长度平缓变化的形状。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述导电面和所述第1导电型半导体区域是四边形，所述导电面具有相对所述第1导电型半导体区域的边成30度以上60度以下的角度的边。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于：

所述导电面和所述第1导电型半导体区域是正方形。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于：

所述导电面的边和所述第1导电型半导体区域的边所成的角度为45度。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述第1导电型半导体区域具有各顶点与导电面的对应边重合的形状。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

随着所述导电面和所述第1导电型半导体区域之间的位置匹配的偏移量从零增加到所述导电面的宽度的1/3，所述导电面的轮廓中存在多个横切所述第1导电型半导体区域的部分，分别具有所述多个横切的部分各自的长度平缓变化的形状。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于：

所述导电面和所述第1导电型半导体区域是四边形，在所述导电面配置多个所述第1导电型半导体区域，所述导电面具有相对所述多个第1导电型半导体区域的边成30度以上60度以下的角度的边。

8.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于：

所述导电面是长方形，所述多个第1导电型半导体区域沿着与所述长方形的长边平行的方向排列。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于：

所述多个第1导电型半导体区域是正方形。

10.根据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于：

所述导电面的边和所述第1导电型半导体区域的边所成的角度为45度。

11.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于：

各第1导电型半导体区域具有至少2个顶点与导电面的对应边重合的形状。

12.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于：

所述导电面是四边形，所述第1导电型半导体区域具有相隔间隔配置的多个正方形部分与连接相邻的正方形部分的连接部分；

所述导电面具有相对所述第1导电型半导体区域中的所述多个正方形部分的边成30度以上60度以下的角度的边。

13.根据权利要求12所述的半导体元件，其特征在于：

所述导电面是长方形，所述第1导电型半导体区域中的所述多个正方形部分沿与所述长方形的长边平行的方向排列，所述连接部分连接所述相邻的正方形部分的相对的顶点。

14.根据权利要求13所述的半导体元件，其特征在于：

所述第1导电型半导体区域中的各正方形部分具有至少2个顶点与所述导电面的对应边重合的形状。

15.根据权利要求1-14中任意一项所述的半导体元件，其特征在于：

进一步具有：

基板；

第1导电型阱区域，与所述第1导电型半导体区域电连接，且在所述半导体层的表面包围所述第2导电型半导体区域；

栅极绝缘膜，覆盖所述半导体层的一部分；

栅极电极，通过所述栅极绝缘膜与所述半导体层绝缘；

上部布线电极，与所述导电体电连接；以及

漏极电极，

所述半导体层形成在所述基板的表面，所述漏极电极形成在所述基板的背面。

16.一种半导体元件的制造方法，包括：

步骤A使用第1注入掩模，通过对包含碳化硅的半导体层注入第1导电型的杂质，而在所述半导体层的表面上形成第1导电型半导体区域；

步骤B使用第2注入掩模，通过对所述半导体层注入第2导电型的杂质，而在所述半导体层的表面上形成第2导电型半导体区域；以及

步骤C设置具有导电面的导电体；

通过所述步骤A和步骤B，形成所述第2导电型半导体区域位于所述第1导电型半导体区域周围的构造；

所述步骤C包含进行所述导电面和所述第1导电型半导体区域之间的位置匹配，使得所述导电面与所述第1导电型半导体区域以及第2导电型半导体区域接触的步骤；

所述第1导电型半导体区域和所述导电面中至少一个不是圆；

所述第1导电型半导体区域和所述导电面，分别具有随着所述导电面和所述第1导电型半导体区域之间的位置匹配的偏移量从零增加到所述导电面的宽度的1/3，所述导电面的轮廓中横切所述第1导电型半导体区域的部分的长度平缓变化的形状。