[发明专利]MAX相粉末和用于制备所述粉末的方法

权利要求书

1.粉末，其包含至少一种元素M、至少一种元素A和至少一种元素X，比例分别为(n+1±ε₁)、1±ε₂和n±ε₃，其中：

^* A选自Cd、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、P、As和S；

^* M是过渡金属；

^* X选自B、C和N；

^* n是等于1、2或3的整数；且

^* ε₁、ε₂和ε₃各自独立地表示0-0.2的数值，

所述粉末的平均粒径小于500nm。

2.权利要求1的粉末，其中所述粉末的平均粒径小于100nm。

3.权利要求1的粉末，其中所述粉末的平均粒径为10—200nm。

4.权利要求1的粉末，其中所述粉末的平均粒径为10—50nm。

5.权利要求1—4任一项的粉末，其中所述元素M、A和X的比例分别为3、1和2。

6.权利要求5的粉末，其中所述粉末对应于选自Ti₃SiC₂、Ti₃AlC₂和Ti₃GeC₂的物相。

7.权利要求6的粉末，其中所述粉末对应于Ti₃SiC₂相。

8.权利要求1—4任一项的粉末，其中所述元素M、A和X的比例分别为2、1和1。

9.权利要求8的粉末，其中所述粉末对应于选自Ti₂AlC、Ti₂AlN、Ti₂InN、Ti₂GeC、Ti₂SC、Ti₂GaN、Ti₂InC、Ti₂TlC、Ti₂SnC、Ti₂GaC、Ti₂CdC、Ti₂PbC、Zr₂InN、Zr₂SnC、Zr₂SC、Zr₂InC、Zr₂TlC、Zr₂PbC、Zr₂TlN、Hf₂PbC、Hf₂InN、Hf₂SnN、Hf₂SnC、Hf₂SC、Hf₂TlC、Hf₂InC、Cr₂GaC、Cr₂AlC、Cr₂GaN、V₂AsC、V₂AlC、V₂PC、V₂GaN、V₂GaC、V₂GeC、Nb₂AlC、Nb₂GaC、Nb₂AsC、Nb₂SnC、Nb₂PC、Nb₂InC、Nb₂SC、Ta₂AlC、Ta₂GaC、Mo₂GaC和Nb₂SC的物相。

10.权利要求1—4任一项的粉末，其中所述元素M、A和X的比例分别为4、1和3。

11.权利要求10的粉末，其中所述粉末对应于选自Ti₄AlN₃和Ta₄AlC₃的物相。

12.权利要求1的粉末，其中M部分地被另一过渡金属或另一金属所替代，和/或A部分地被权利要求1中A的可选元素中的另一元素所替代，和/或X部分地被权利要求1中X的可选元素中的另一元素所替代。