[发明专利]非晶碳膜、形成非晶碳膜的方法、具有非晶碳膜的导电性部件以及燃料电池用隔板

权利要求书

1.一种非晶碳膜，其包含碳和氢，并且其特征在于：所述非晶碳 膜包含30原子％以下且大于0原子％的氢，并且当将碳的总量作为100 原子％时，具有sp²杂化轨道的碳的存在量为70原子％以上且小于100 原子％。

2.根据权利要求1所述的非晶碳膜，其进一步包含20原子％以下 且大于0原子％的氮。

3.根据权利要求2所述的非晶碳膜，其进一步包含5原子％以下 且大于0原子％的硅。

4.根据权利要求3所述的非晶碳膜，其中硅含量小于1原子％。

5.根据权利要求1所述的非晶碳膜，其中氢含量小于20原子％。

6.根据权利要求1所述的非晶碳膜，其进一步包含3原子％以下 的氧。

7.根据权利要求1所述的非晶碳膜，其(002)面的平均面间距为 0.34～0.50nm。

8.根据权利要求1所述的非晶碳膜，其体积电阻率为10²Ω·cm以 下。

9.根据权利要求8所述的非晶碳膜，其体积电阻率为10^-1Ω·cm 以下。

10.一种非晶碳膜，其包含碳、氢和硅，并且其特征在于：所述 非晶碳膜包含30原子％以下且大于0原子％的氢以及小于1原子％且大 于0原子％的硅，并且当将碳的总量作为100原子％时，具有sp²杂化 轨道的碳的存在量为70原子％以上且小于100原子％。

11.根据权利要求10所述的非晶碳膜，其中氢含量小于20原子％。

12.根据权利要求10所述的非晶碳膜，其进一步包含3原子％以 下的氧。

13.根据权利要求10所述的非晶碳膜，其(002)面的平均面间距为 0.34～0.50nm。

14.根据权利要求10所述的非晶碳膜，其体积电阻率为10²Ω·cm 以下。

15.根据权利要求14所述的非晶碳膜，其体积电阻率为10^-1Ω·cm 以下。

16.一种非晶碳膜形成方法，所述方法用于通过等离子体CVD法 在基材表面上形成如权利要求1～9任一项所述的非晶碳膜，

其特征在于：将基材放入反应容器中；将含有如下一种或多种气 体的反应气体引入反应容器中，所述一种或多种气体选自包含具有sp²杂化轨道的碳的碳环化合物气体、和包含具有sp²杂化轨道的碳以及硅 和/或氮的杂环化合物气体；以及放电。

17.根据权利要求16所述的非晶碳膜形成方法，其中所述碳环化 合物气体的碳环化合物为芳香烃化合物。

18.根据权利要求17所述的非晶碳膜形成方法，其中所述芳香烃 化合物为选自苯、甲苯、二甲苯和萘中的一种或多种。

19.根据权利要求16所述的非晶碳膜形成方法，其中所述杂环化 合物气体的杂环化合物为包含氮的含氮杂环化合物。

20.根据权利要求19所述的非晶碳膜形成方法，其中所述含氮杂 环化合物为选自吡啶、吡嗪和吡咯中的一种或多种。

21.根据权利要求16所述的非晶碳膜形成方法，其中所述基材的 温度为500℃以上。

22.根据权利要求21所述的非晶碳膜形成方法，其中所述基材的 温度为600℃以上。

23.根据权利要求16所述的非晶碳膜形成方法，其中在1000V以 上放电。

24.根据权利要求23所述的非晶碳膜形成方法，其中在2000V以 上放电。

25.根据权利要求16所述的非晶碳膜形成方法，其中所述反应气 体包含含氮芳香化合物，并且在2000V以上放电。