[发明专利]用于改善快速热退火均匀性的伪形状的可变重叠

权利要求书

1.一种在快速热退火工艺过程中跨晶片的区域提供均匀温度的 方法，所述方法包括：

通过测量所述区域的第一部分中的第一结构的密度，确定所述第 一部分中的第一反射率，其中所述第一结构包括扩散填充形状和多晶 硅导体填充形状；

通过测量所述区域的第二部分中的第二结构的密度，确定所述第 二部分中的第二反射率；

比较所述第一反射率和所述第二反射率；以及

调节所述第一部分中的所述第一结构的重叠量，以使所述第一部 分的所述第一反射率和所述第二部分的所述第二反射率平衡，

其中调节所述第一结构的所述重叠量包括：调节扩散填充形状和 多晶硅导体填充形状的重叠量。

2.如权利要求1所述的方法，其中调节所述第一结构的所述重 叠量包括下列中的至少一个：使所述扩散填充形状和多晶硅导体填充 形状完全重叠、使所述扩散填充形状和多晶硅导体填充形状部分重 叠、和将所述第一结构调节为使得所述扩散填充形状和多晶硅导体填 充形状不重叠。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第二结构包括有源电路 结构，并且所述第一结构包括非有源伪结构。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述使所述第一部分的所述 第一反射率和所述第二部分的所述第二反射率平衡使得在所述快速 热退火工艺过程中所述第一部分的第一温度和所述第二部分的第二 温度平衡。

5.如权利要求1所述的方法，其中调节所述第一结构的所述重 叠量避免改变所述第一部分中的所述第一结构的密度。

6.如权利要求1所述的方法，其中调节所述第一结构的所述重 叠量调节所述第一部分吸收的辐照光量。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括执行下列中的至少一 个，以使所述第一部分的所述第一反射率和所述第二部分的所述第二 反射率平衡：调节所述第一部分中的所述第一结构的尺寸，调节所述 第一部分中的所述第一结构的形状，将适用于操纵反射率的膜插入到 所述第一部分中，和从所述第一部分中移除所述膜。

8.一种在快速热退火工艺过程中跨晶片的有限区域提供均匀温 度的方法，所述方法包括：

通过测量所述有限区域的第一部分中的扩散填充形状和多晶硅 导体填充形状的密度，确定所述第一部分中的第一反射率；

通过测量所述有限区域的第二部分中的半导体结构的密度，确定 所述第二部分中的第二反射率；

比较所述第一反射率和所述第二反射率；以及

调节所述第一部分中的所述扩散填充形状和多晶硅导体填充形 状的重叠量，以使所述第一部分的所述第一反射率和所述第二部分的 所述第二反射率平衡。

9.如权利要求8所述的方法，其中调节所述扩散填充形状和多 晶硅导体填充形状的所述重叠量包括下列中的至少一个：使所述扩散 填充形状和多晶硅导体填充形状完全重叠、使所述扩散填充形状和多 晶硅导体填充形状部分重叠、和将所述第一部分调节为使得所述扩散 填充形状和多晶硅导体填充形状不重叠。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述半导体结构包括有源电 路结构，并且所述扩散填充形状和多晶硅导体填充形状包括非有源伪 结构。

11.如权利要求8所述的方法，其中使所述第一部分的所述第一 反射率和所述第二部分的所述第二反射率平衡使得在所述快速热退 火工艺过程中所述第一部分的第一温度和所述第二部分的第二温度 平衡。

12.如权利要求8所述的方法，其中调节所述扩散填充形状和多 晶硅导体填充形状的所述重叠量避免改变所述第一部分中的所述扩 散填充形状和多晶硅导体填充形状的密度。

13.如权利要求8所述的方法，其中调节所述扩散填充形状和多 晶硅导体填充形状的所述重叠量调节所述第一部分吸收的辐照光量。