[发明专利]光学半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种光学半导体器件，其在同一衬底上被提供有光接收元件和晶体管，该光学半导体器件包括：

被形成在第一导电类型的半导体衬底上、具有低掺杂浓度的第二导电类型的第二外延层；

被选择性地形成在所述第二外延层上、具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一扩散层；和

被形成在所述第一扩散层的上部、具有高掺杂浓度的第二导电类型的第二扩散层，其中

所述第一扩散层和所述第二扩散层构成所述光接收元件，所述晶体管被形成在所述第二外延层中，并且

所述第一扩散层在所述半导体衬底与所述第二外延层之间的界面中具有其掺杂浓度峰值。

2、一种光学半导体器件，其在同一衬底上被提供有光接收元件和晶体管，该光学半导体器件包括：

被形成在第一导电类型的半导体衬底的上部、具有高掺杂浓度的第一导电类型的埋层；

被形成在所述埋层上、具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一外延层；

被形成在所述第一外延层上、具有低掺杂浓度的第二导电类型的第二外延层；

被选择性地形成在所述第二外延层上、具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一扩散层；和

被形成在所述第一扩散层的上部、具有高掺杂浓度的第二导电类型的第二扩散层，其中

所述第一扩散层和所述第二扩散层构成所述光接收元件，所述晶体管被形成在所述第二外延层中，并且

所述第一扩散层在所述第一外延层与所述第二外延层之间的界面中具有其掺杂浓度峰值。

3、根据权利要求1所述的光学半导体器件，进一步包括被选择性地形成在所述第二外延层中的第二导电类型的阱层，其中所述晶体管被形成在所述阱层中。

4、根据权利要求2所述的光学半导体器件，进一步包括被选择性地形成在所述第二外延层中的第二导电类型的阱层，其中所述晶体管被形成在所述阱层中。

5、根据权利要求1所述的光学半导体器件，进一步包括被选择性地形成在所述第二外延层中的第一导电类型的阱层，其中所述晶体管被形成在所述阱层中。

6、根据权利要求2所述的光学半导体器件，进一步包括被选择性地形成在所述第二外延层中的第一导电类型的阱层，其中所述晶体管被形成在所述阱层中。

7、根据权利要求1所述的光学半导体器件，在所述第一扩散层的上部进一步包括第一导电类型的第三扩散层，该第三扩散层在所述第二外延层的表面上具有其掺杂浓度峰值。

8、根据权利要求2所述的光学半导体器件，在所述第一扩散层的上部进一步包括第一导电类型的第三扩散层，该第三扩散层在所述第二外延层的表面上具有其掺杂浓度峰值。

9、一种制造光学半导体器件的方法，该光学半导体器件在同一衬底上被提供有光接收元件和晶体管，该方法包括：

a)在第一导电类型的半导体衬底上形成具有低掺杂浓度的第二导电类型的第二外延层的步骤；

b)通过离子注入法在所述第二外延层中选择性地形成具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一扩散层，以使所述第一扩散层在所述半导体衬底与所述第二外延层之间的界面中具有其掺杂浓度峰值的步骤；

c)在所述第一扩散层的上部形成具有高掺杂浓度的第二导电类型的第二扩散层的步骤；和

d)在所述第二外延层中选择性地形成所述晶体管的步骤，其中

所述第一扩散层和所述第二扩散层构成所述光接收元件。

10、一种制造光学半导体器件的方法，该光学半导体器件在同一衬底上被提供有光接收元件和晶体管，该方法包括：

a)在第一导电类型的半导体衬底的上部选择性地形成第一导电类型的第二埋层的步骤，所述第二埋层具有低掺杂浓度并且在所述半导体衬底的表面上具有其掺杂浓度峰值；

b)在所述半导体衬底上形成具有低掺杂浓度的第二导电类型的第二外延层的步骤；

c)在所述第二外延层的上部，形成具有高掺杂浓度并且被接合到所述第二埋层的第二导电类型的第二扩散层的步骤；和

d)在所述第二外延层中选择性地形成所述晶体管的步骤，其中

所述第二埋层和所述第二扩散层构成所述光接收元件。