[发明专利]处理Al/Zn基合金涂覆产品的方法及所得到的产品

权利要求书

1.一种处理Al/Zn基合金涂覆产品的方法，该产品包括基体上的Al/Zn基合金涂层，该方法包括步骤：

(a)以至少500℃/s的加热速度高强度加热合金涂层，和

(b)以至少100℃/s的冷却速度冷却合金涂层，

从而形成合金涂层的改善的晶体微观结构。

2.一种处理Al/Zn基合金涂覆产品的方法，该产品包括基体上的Al/Zn基合金涂层，该方法包括步骤：

(a)以至少500℃/s的加热速度加热合金涂层而不明显地加热基体，和

(b)通过使用基体作为散热器来冷却合金涂层，冷却速度至少为100℃/s，

从而形成合金涂层的改善的晶体微观结构。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述改善的晶体微观结构在步骤(a)中形成为合金涂层的初始微观结构的固态变化。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)包括至少部分熔融Al/Zn基合金涂层，由此当合金涂层在步骤(b)中凝固时即形成所述改善的晶体微观结构。

5.如权利要求4所述的方法，其中步骤(a)包括完全熔融Al/Zn基合金涂层，由此当合金涂层在步骤(b)中凝固时即形成所述改善的晶体微观结构。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)包括将Al/Zn基涂层的温度升至足够高，以使通常以小于100℃/s的冷却速度凝固的合金涂层中的元素或元素化合物的细小和粗大颗粒都熔化。

7.如权利要求1或2所述的方法，其中所述Al/Zn基合金涂层的改善的晶体微观结构是单相。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中所述Al/Zn基合金涂层的改善的晶体微观结构是一种相的颗粒均匀分散在另一种相中。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中所述Al/Zn基合金涂层的改善的晶体微观结构是一种相的细小初级枝晶和其他相的枝晶间区域的均匀分散。

10.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)以至少10,000℃/s的加热速度加热所述Al/Zn基合金涂层。

11.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)包括小于200毫秒的加热持续时间。

12.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)包括小于20毫秒的加热持续时间。

13.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)包括小于2毫秒的加热持续时间。

14.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)包括从高于环境温度的温度起加热所述Al/Zn基合金涂层。

15.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)包括将所述合金涂层加热到250-910℃的温度范围。

16.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)包括将所述合金涂层加热到380-800℃的温度范围。

17.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)包括将所述合金涂层加热到450-800℃的温度范围。

18.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)包括按如下要求选择的温度和/或时间条件加热Al/Zn基合金涂层：在合金涂层和基体的界面上金属间合金层的生长最小。

19.如权利要求18所述的方法，其中金属间合金层保持在0-5μm的范围。

20.如权利要求18所述的方法，其中金属间合金层保持在0-3μm的范围。

21.如权利要求18所述的方法，其中金属间合金层保持在0-1μm的范围。

22.如权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)包括加热Al/Zn基合金涂层的同时保证基体充分低温，以防止对基体性能有害的恢复退火基体的再结晶或基体中的相变。

23.如权利要求1或2所述的方法，其中在步骤(a)中加热Al/Zn基合金涂层后，在步骤(b)中相对冷的基体从合金涂层吸取热量，基体充当散热器并导致合金涂层的冷却速度至少为500℃/s，从而保持或形成了改善的晶体微观结构。