[发明专利]用于抛光氧化铝及氧氮化铝基材的组合物、方法及系统

权利要求书

1.一种抛光基材的方法，包括以下步骤：

提供包含研磨剂、液体载体及磷型一元酸的组合物，其中所述组合物具有1-7的pH值；

提供选自氧化铝及氧氮化铝的基材；

提供用于物理研磨该基材的装置；及

通过将该基材与该用于物理研磨该基材的装置及该组合物接触而磨除该基材的至少一部分。

2.权利要求1的方法，其中该基材为蓝宝石。

3.权利要求2的方法，其中该蓝宝石为单晶蓝宝石。

4.权利要求1的方法，其中该用于物理研磨该基材的装置为抛光垫。

5.权利要求4的方法，其中抛光机包含抛光垫。

6.权利要求1的方法，其中该磷型一元酸选自磷酸、膦酰基乙酸、亚磷酸、甲基膦酸、及其混合物。

7.权利要求1的方法，其中该磷型一元酸为磷酸。

8.权利要求1的方法，其中该组合物具有2-4.5的pH值。

9.权利要求1的方法，其中该研磨剂包括二氧化硅。

10.权利要求1的方法，其中该酸的浓度大于0.0025重量％。

11.权利要求1的方法，其中该酸的浓度大于0.01重量％。

12.通过权利要求1的方法抛光的蓝宝石晶片。

13.权利要求12的蓝宝石晶片，其中在2×2μm的扫描区域中，平均表面粗糙度小于1.0nm。

14.权利要求7的方法，其中磷酸的浓度大于0.0025重量％。

15.权利要求7的方法，其中磷酸的浓度大于0.01重量％。

16.权利要求7的方法，其中磷酸的浓度为0.03重量％。

17.权利要求14的方法，其中该pH值为2-4.5。

18.一种化学机械抛光系统，其包含：

包含研磨剂、液体载体及磷型一元酸的组合物，其中所述组合物具有1-7的pH值；

选自氧化铝及氧氮化铝的基材；及

用于物理研磨该基材的装置。

19.权利要求18的化学机械抛光系统，其中该基材为蓝宝石。

20.权利要求18的化学机械抛光系统，其中该基材为单晶蓝宝石。

21.权利要求18的化学机械抛光系统，其中该用于物理研磨该基材的装置为抛光垫。

22.权利要求21的化学机械抛光系统，其中该抛光垫为带槽聚氨酯垫。

23.权利要求18的化学机械抛光系统，其中该磷型一元酸选自磷酸、膦酰基乙酸、亚磷酸、甲基膦酸、及其混合物。

24.权利要求18的化学机械抛光系统，其中该磷型一元酸为磷酸。

25.权利要求18的化学机械抛光系统，其中该组合物具有2-4.5的pH值。

26.权利要求18的化学机械抛光系统，其中该研磨剂为二氧化硅。

27.权利要求18的化学机械抛光系统，其中该酸的浓度大于0.0025重量％。

28.权利要求18的化学机械抛光系统，其中该酸的浓度大于0.01重量％。

29.权利要求24的化学机械抛光系统，其中磷酸的浓度大于0.0025重量％。

30.权利要求24的化学机械抛光系统，其中磷酸的浓度大于0.01重量％。

31.权利要求24的化学机械抛光系统，其中磷酸的浓度为0.03重量％。

32.权利要求29的化学机械抛光系统，其中该pH值为2-4.5。