[发明专利]等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置无效
| 申请号： | 200780019181.0 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101454880A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 鸿野真之;西田辰夫;中西敏雄 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L27/115;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;H01L21/318;H01L21/8247;C23C16/34;C23C16/511 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 cvd 方法 氮化 形成 半导体 装置 制造 | ||
1.一种等离子体CVD方法，其特征在于，包括：
准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置设置有：能 够真空排气的处理室、在所述处理室内载置被处理体的载置台、产生 微波的微波产生源、具有多个缝隙并通过所述缝隙将所述微波产生源 所产生的微波导入所述处理室内的平面天线、将成膜原料气体供向所 述处理室内的气体供给机构、和向所述载置台供给高频电力的高频电 源；
将被处理基板载置在所述载置台上的工序；
将含氮气体和含硅气体导入所述处理室内，利用所述微波使这些 气体等离子体化，通过该等离子体在被处理基板的表面上沉积氮化硅 膜的工序；和
在沉积所述氮化硅膜时，向所述载置台供给高频电力的工序，
所述高频电力的功率密度为0.0032～1.59W/cm2，
以0.1Pa以上53Pa以下的处理压力沉积所述氮化硅膜。
2.如权利要求1所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
所述高频电力的频率为400kHz～27MHz。
3.如权利要求1所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
形成具有1000MPa以上的压缩应力的氮化硅膜。
4.如权利要求1所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
形成具有2000MPa以上的压缩应力的氮化硅膜。
5.如权利要求4所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
以0.1Pa以上40Pa以下的处理压力沉积所述氮化硅膜。
6.如权利要求1所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
形成具有3000MPa以上的压缩应力的氮化硅膜。
7.如权利要求6所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
以5Pa以上25Pa以下的处理压力沉积所述氮化硅膜。
8.如权利要求6所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
所述高频电力的功率密度为0.016～0.127W/cm2。
9.如权利要求1所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
形成具有3500MPa以上的压缩应力的氮化硅膜。
10.如权利要求9所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
以7Pa以上16Pa以下的处理压力沉积所述氮化硅膜。
11.如权利要求9所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
所述高频电力的功率密度为0.032～0.096W/cm2。
12.如权利要求1所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
使用氨气作为所述含氮气体。
13.如权利要求1所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
使用氮气作为所述含氮气体。
14.如权利要求1所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
所述含硅气体是乙硅烷(Si2H6)。
15.如权利要求1所述的等离子体CVD方法，其特征在于：
沉积所述氮化硅膜时的处理温度为300℃～800℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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