[发明专利]用于半导体发光设备的反射电极

权利要求书

1.一种用于在半导体发光器件上形成反射电极的方法，所述半导 体发光器件具有用于产生光的一个有源层和与有源层电接触的一个包 层，所述的方法包括：

-在所述的包层上沉积一个导电材料的中间层；

-使至少一部分所述的导电材料扩散进入所述的包层，其中：在 使所述导电材料扩散进入所述包层后，所述中间层包括扩散到所述包 层中的第一部分以及保留在所述包层上的第二部分；

-除去所述第二部分的一部分以便留下薄的非扩散层；和

-在所述的中间层上沉积一个反射层，所述的反射层是导电的， 并且与所述的中间层电接触。

2.权利要求1的方法，其中：所述除去包括除去所述的中间层的 所述第二部分的绝大部分。

3.权利要求1的方法，其中：所述使至少一部分所述的导电材料 扩散进入所述的包层包括退火所述的发光器件。

4.权利要求3的方法，其中：所述的退火包括以足够的持续时间 和温度退火所述的发光器件，以使所述的导电材料扩散进入包层50纳 米的扩散深度。

5.权利要求1的方法，其中：所述的包层包括p-型半导体材料， 并且其中：沉积所述的中间层包括沉积一种材料，这种材料的功函数 大于所述的p-型半导体材料的带隙能量与电子亲和能量之和。

6.权利要求5的方法，其中：沉积所述的材料包括沉积从由铑、 钯、镍、铂、金、铱、铼组成的组中选择出来的金属。

7.权利要求5的方法，其中：沉积所述的材料包括沉积一种导电 氧化物。

8.权利要求1的方法，其中：所述的包层包括n-型半导体材料， 并且其中：沉积所述中间层包括沉积一种金属，这种金属的功函数小 于所述的n-型半导体材料的电子亲和能量。

9.权利要求8的方法，其中：沉积所述的金属包括沉积从由铝、 钛、铬、钒、钽组成的组中选择出来的一种金属。

10.权利要求1的方法，其中：将所述的有源层可操作地配置成 以第一波长发光，并且其中：沉积所述的反射层包括沉积一种材料， 这种材料在所述的第一波长具有增大的反射率。

11.权利要求10的方法，其中：沉积所述的反射层包括沉积从由 铝、铑、钯、银、金、镁、镍组成的组中选择出来的至少一种金属。

12.一种用在半导体发光设备中的半导体结构，所述的结构包括：

-第一包层；

-与所述的第一包层电接触的一个有源层，所述的有源层可以操 作来产生光；

-与所述的有源层电接触的第二包层，所述的第二包层有一个外 表面；

-在所述的第二包层的外表面上的一个反射电极，所述的反射电 极包括：

-导电材料的一个中间层，所述的导电材料至少部分地扩散 进入所述的第二包层；

-在所述的中间层上的一个反射层，所述的反射层是导电的， 并且与所述的中间层电接触，所述的反射层可操作来反射在所述有源 层中产生的光，使其返回穿过所述的第二包层、所述的有源层、和所 述的第一包层，

其中：所述中间层包括在所述的第二包层中的所述的导电材 料的一个扩散部分和在所述的第二包层上的所述的导电材料的一个非 扩散部分，所述的非扩散部分是薄层，其足够地薄以便允许在所述的 有源层中所产生的光能够透射穿过所述的非扩散部分而没有明显的衰 减。

13.权利要求12的结构，进一步还包括与所述的第一包层接触的 一个基板，按可操作方式配置所述的基板，以便允许所述的光穿过所 述的基板离开这个结构。

14.权利要求12的结构，其中：所述的中间层包括伸入第二包层 中50纳米扩散深度的导电材料的扩散层。