[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

在诸如有机EL(电致发光)显示器、无机EL显示器、液晶显 示器、等离子体显示器或表面传导电子发射显示器(SED)的显示装 置中形成有多个像素。

多种树脂材料被用作用来分开多个像素的材料(以下，称作隔墙 (partition wall))(见专利文件1：日本公开专利申请No. 2000-294378)。

有机树脂(例如，聚酰亚胺等)优选作为用于隔墙的材料。然而， 有机树脂与许多无机物质相比耐热性差并具有相当高的吸湿性。因 此，由于显示装置的热而从隔墙释放的少量湿气会导致显示装置亮度 下降。

特别地，作为显示装置，已知一种其中执行发光的材料被称作电 致发光(以下，也称作“EL”)的发光显示装置。从用作隔墙的树脂材 料产生的湿气、气体等被视作电致发光元件(EL元件)，特别是有 机EL元件发光性能下降的原因之一。

因此，从绝缘性、耐热性、吸湿性等方面考虑，诸如氧化硅的无 机材料可以作为用于隔墙的更加优选的材料。

发明内容

为了使用诸如氧化硅的无机材料形成隔墙，必须形成无机材料 膜，并且必须对所形成的无机材料膜进行处理。

例如，在使用氧化硅膜的情况下，隔墙可以通过以下方法形成。

即，给出以下方法：一种方法是其中在氧化硅膜上方形成抗蚀剂 并使用含氟溶液进行蚀刻，或者一种方法是其中形成氧化硅膜，利用 模子通过压印装置向氧化硅膜上施加压力同时进行加热。

使用含氟溶液进行蚀刻的方法具有由含氟溶液而导致对布线损 伤的缺陷。另外，利用模子通过压印装置施加压力同时加热的方法具 有氧化硅膜必须加热至比氧化硅的玻璃转化点更高的温度的缺陷。

根据本发明的一个特性，使用一种通过纳米压印形成隔墙的方 法，并且作为使用氧化硅膜形成隔墙的方法，首先形成含有聚硅烷的 绝缘膜，随后通过UV(紫外)光照射和加热形成由氧化硅膜形成的 隔墙。

当隔墙通过纳米压印形成时，能够形成如同利用步进(stepper) 设备形成的一样精密的隔墙，即具有纳米(nm)精度的隔墙。另外， 由于隔墙在纳米压印中使用模子(铸模)形成，所以能够形成具有优 异可重复性的多个隔墙，隔墙几乎没有变化，并且能够降低制造成本。

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，其中在衬底上方形成第 一电极；在衬底和第一电极上方形成含聚硅烷的绝缘层；将模子压在 绝缘层上以在第一电极上方的绝缘层中形成开口；将模子从其中形成 了开口的绝缘层分开；将其中形成了开口的绝缘层硬化以形成隔墙； 在第一电极和隔墙上方形成发光层；以及在发光层上方形成第二电 极。

在本发明中，绝缘层通过UV光照射并加热来形成。

在本发明中，模子由金属材料或绝缘材料形成，并且在模子的表 面上形成凹部。

在本发明中，形成了开口的绝缘层的表面在隔墙形成前硬化。

注意，在本说明书中，半导体器件表示一般而言通过利用半导体 工作的元件和装置，并且包括其中具有半导体元件的发光装置等在内 的电子光学装置和安装有电子光学装置的电子设备被包括在该范畴 内。

通过本发明，能够通过具有优异可重复性的简单的方法形成使用 无机材料的隔墙。因此，能够制造出亮度下降速度慢的高耐久性显示 装置。

附图说明

附图中：

图1A和1B都为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；

图2A和2B都为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；

图3A至3D都为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；

图4A至4D都为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；

图5A至5C都为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；

图6A至6C都为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；

图7A和7B都为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；

图8A和8B都为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；

图9A和9B都为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；

图10为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；

图11为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；

图12为示出本发明半导体器件制造工艺的视图；