[发明专利]大气压等离子体产生方法、等离子体处理方法和使用其的部件安装方法、以及使用这些方法的装置无效

专利信息
申请号: 200780019833.0 申请日: 2007-05-28
公开(公告)号: CN101455127A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 辻裕之;井上和弘 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 张 鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 大气压 等离子体 产生 方法 处理 使用 部件 安装 以及 这些 装置
【权利要求书】:

1.一种用于产生大气压等离子体的方法,包括:

等离子体产生步骤,将第一惰性气体(5)供给到形成反应空间(1,24)的反 应容器(2,14)并对设置在所述反应空间附近的天线(3)施加高频电压以从所述 反应空间喷射由已成为感应耦合等离子的所述第一惰性气体构成的初级等离子体 (6);以及

等离子体扩张步骤,形成包含作为主要成分的第二惰性气体(12)和与所述第 二惰性气体混合的适量活性气体(13)的混合气体区(10,29)以使所述初级等离 子体与所述混合气体区在比反应容器的下端更下方的部分碰撞以便产生由已成为 所述等离子体的混合气体(8)构成的二次等离子体(11)并使所述二次等离子体 在混合气体区内扩张,其中,混合气体容器(7,16)靠近反应容器(2,14)的底端 侧设置,并且配置于所述混合气体容器(7,16)的上部位置的气体入口(9,17)将 混合气体供应到配置于反应容器(2,14)的外侧的混合气体容器(7,16)的内部。

2.一种等离子体处理方法,包括:

将第一惰性气体(5)供给到设置在等离子体头(50)中的形成反应空间(1,24) 的反应容器(2,14)并对设置在所述反应空间附近的天线(3)施加高频电压以从 所述反应空间连续喷射由感应耦合等离子构成的初级等离子体(6);

在所述等离子体头中或其附近形成其中包含作为主要成分的第二惰性气体 (12)和与所述第二惰性气体混和的适量活性气体(13)的混合气体区(10,29) 以使所述初级等离子体与所述混合气体区在比反应容器的下端更下方的部分碰撞 而产生二次等离子体(11),并使所述二次等离子体在混合气体区内扩张,其中, 混合气体容器(7,16)靠近反应容器(2,14)的底端侧设置,并且配置于所述混合 气体容器(7,16)的上部位置的气体入口(9,17)将混合气体供应到配置于反应容 器(2,14)的外侧的混合气体容器(7,16)的内部;以及

仅在处理部分形成所述混合气体区并且当所述处理部分(46)进行所述等离子 体处理时产生所述二次等离子体同时使所述等离子体头和处理对象(S)相对移动 以通过在所述处理对象的所述处理部分上喷雾所产生的二次等离子体来进行所述 处理。

3.一种用于将元件安装到衬底上的方法,包括:

将第一惰性气体(5)供给到形成反应空间(1,24)的反应容器(2,14)并对设 置在所述反应空间附近的天线(3)施加高频电压以从所述反应空间喷射由感应耦 合等离子体构成的初级等离子体(6);

使所述初级等离子体与包含作为主要成分的第二惰性气体(12)和与所述第二 惰性气体混合的适量活性气体(13)的混合气体区(10,29)在比反应容器的下端 更下方的部分碰撞以产生二次等离子体(11),并使所述二次等离子体在混合气体 区内扩张,其中,混合气体容器(7,16)靠近反应容器(2,14)的底端侧设置,并 且配置于所述混合气体容器(7,16)的上部位置的气体入口(9,17)将混合气体供 应到配置于反应容器(2,14)的外侧的混合气体容器(7,16)的内部;

将所产生的二次等离子体施加到表面(76)的元件要接合部分(77)上以进行 等离子体处理;以及

将元件(19)接合到已进行所述等离子体处理的所述元件要接合部分上。

4.如权利要求3所述的用于将元件安装到衬底上的方法,其特征在于,

所述衬底(76)是平板显示器的面板,所述元件要接合部分(77)是设置在所 述面板端部的连接电极(82),所述元件包括附着在所述连接电极上的各向异性导 电膜(78)和临时或最终压配于其上的用于驱动所述平板显示器的电子元件(79), 以及

部件安装步骤包括等离子体处理步骤、各向异性导电膜附着步骤、临时压配步 骤、以及最终压配步骤。

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