[发明专利]用于电光器件的电荷注入层

权利要求书

1.一种用于电光器件的电荷注入层，该电荷注入层包含具有共轭单元的聚合物和与所述聚合物混合的盐，其特征在于当所述聚合物与所述盐混合时，其氧化态没有变化。

2.根据权利要求1的电荷注入层，其中所述具有共轭单元的聚合物选自如下组成的组：

a)经分子掺杂的聚合物，其含有作为掺杂剂的芳基胺分子，芳基胺分子的浓度为1-80％，优选10-60％并且最优选30-50％(w/w)；

b)中性共轭聚合物，如聚噻吩类、聚亚苯基类、聚苯胺类、聚吡咯、聚亚苯基1，2-亚乙烯基类及它们的衍生物；

c)含有化学键接的中性芳基胺的聚合物，其芳基胺浓度优选超过10％(w/w)，优选超过40％(w/w)并且最优选超过60％(w/w)。

3.根据权利要求1至2中任一项的电荷注入层，其中所述具有共轭单元的聚合物为聚(N’-4-丁基苯基-N-N-二苯基-胺)。

4.根据前述权利要求1至3中任一项的电荷注入层，其中所述盐为六氟磷酸四丁基铵。

5.根据前述权利要求1至4中任一项的电荷注入层，其中所述具有共轭单元的聚合物和所述盐在至少一种共用溶剂中均可溶。

6.根据权利要求5的电荷注入层，其中所述共用溶剂为有机溶剂。

7.根据权利要求6的电荷注入层，其中所述有机溶剂选自如下组成的组：乙腈、二氯甲烷、氯仿、甲苯、苯、氯苯、环己烷、硝基苯、吡啶、哌啶、四氢呋喃和二甲基甲酰胺。

8.根据权利要求7的电荷注入层，其中所述有机溶剂为氯苯。

9.根据前述权利要求1至8中任一项的电荷注入层，其中相对于所述具有共轭单元的聚合物以0.001％至10％(w/w)之间的浓度加入所述盐。

10.根据前述权利要求1至9中任一项的电荷注入层，其中相对于所述具有共轭单元的聚合物以0.01％至1％(w/w)之间的浓度加入所述盐。

11.根据前述权利要求1至10中任一项的电荷注入层，其中相对于所述具有共轭单元的聚合物以0.1％至0.5％(w/w)之间的浓度加入所述盐。

12.一种电光器件，其包含前述权利要求1至11中任一项的电荷注入层加上光学活性材料层、阳极和阴极。

13.权利要求12所述的器件，其选自由有机发光二极管(OLED)、太阳能电池或TFT显示器组成的组。

14.权利要求12或13中任一项所述的器件，其中阳极由ITO(铟锡氧化物)制成。

15.前述权利要求12至14中任一项所述的器件，其中所述空穴注入层在光学活性材料不可溶的溶剂中可溶。

16.前述权利要求12至15中任一项所述的器件，其中所述空穴注入层在氯苯中可溶，并且光学活性材料在氯苯中不可溶。

17.前述权利要求1至11中任一项所述的电荷注入层在电光器件中作为导电材料或电荷传输材料或空穴传输材料的应用。

18.权利要求16所述的电荷注入层的应用，其中电光器件为OLED(有机发光二极管)、TFT(薄膜晶体管)或分子太阳能电池。