[发明专利]基板的微细加工方法、基板的制造方法及发光元件

权利要求书

1.一种基板的微细加工方法，其中，

在从具有单粒子层的基板除去单粒子层后，利用蚀刻，以载置过构成单粒子层的各个粒子的基板的位置为中心，形成具有比粒子的直径小的内径的孔。

2.一种基板的制造方法，其中，依次包括如下的工序(I)～(V)，即：

(I)在基板上排列粒子而形成单粒子层；

(II)蚀刻得到的基板，将粒子小粒径化；

(III)在得到的基板上形成由掩模材料构成的薄膜；

(IV)从基板除去粒子，在各个粒子存在过的位置形成具有与粒子的直径相等的内径的孔的掩模；

(V)使用掩模来蚀刻基板，在掩模具有的孔的下方的基板形成与掩模的孔的内径相等的直径的孔。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

工序(I)的基板由选自半导体、电介体、光透过性(导电性)材料及金属的至少一种构成。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

半导体由氮化物构成。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，

基板由半导体和光透过性(导电性)材料构成。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，

光透过性材料由ITO构成。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，

基板由半导体和金属构成。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

工序(I)的粒子由无机物或有机物构成。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

无机物由选自氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物及金属的至少一种构成。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，

氧化物为二氧化硅。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，

有机物为高分子材料。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

高分子材料为聚苯乙烯。

13.根据权利要求2所述的方法，其中，

工序(I)的形成通过移动累积法、提升法、旋涂法来进行。

14.根据权利要求2所述的方法，其中，

在工序(II)的蚀刻中，作为蚀刻气体，使用含有氟的气体或含有氧的气体来进行。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，

含有氟的气体为选自CF₄、CHF₃、C₂H₂F₂及C₂F₃Cl₃的至少一种。

16.根据权利要求2所述的方法，其中，

工序(II)的蚀刻通过选择比(＝粒子的蚀刻率/基板的蚀刻率)为1以上的各向异性蚀刻来进行。

17.根据权利要求2所述的方法，其中，

工序(II)的蚀刻在粒子为蚀刻前的粒子直径的10％以上且95％以下的条件下进行。

18.根据权利要求2所述的方法，其中，

工序(II)的蚀刻在粒子扁平化的条件下进行。

19.根据权利要求2所述的方法，其中，

工序(III)的掩模材料满足工序(V)的蚀刻的选择比(＝基板的蚀刻率/掩模的蚀刻率)为1以上的情况。

20.根据权利要求2所述的方法，其中，

掩模材料为Ni。

21.根据权利要求2所述的方法，其中，

工序(III)的掩模的形成通过气相沉积法、真空蒸镀法、离子束溅射法、或激光磨损法来进行。

22.根据权利要求2所述的方法，其中，

工序(III)的掩模的形成通过使掩模材料的粒子的入射角度相对于基板面大致垂直，沉积至小粒径化后的粒子的高度的50％以下的厚度而进行。