[发明专利]开关电路布置有效

专利信息
申请号: 200780019978.0 申请日: 2007-05-14
公开(公告)号: CN101454979A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: T·洛佩斯;R·埃尔费里希 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: H03K17/16 分类号: H03K17/16;H02M3/158
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 吴立明
地址: 荷兰艾恩*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 开关电路 布置
【权利要求书】:

1.一种开关电路,包括:

场效应晶体管,具有FET门限电平,

偏置电路,串联连接到所述场效应晶体管的栅极,用于将所述 场效应晶体管的栅极电压偏置到所述FET门限电平以下和零伏特之 上的区域,以及

箝位开关,连接在所述场效应晶体管的栅极以及所述场效应晶 体管的源极之间,用于使得所述场效应晶体管的栅极电压在所述 FET门限电平以下,只要从所述场效应晶体管的漏极到所述场效应 晶体管的源极的电压上升超过所述箝位开关的箝位开关门限电平, 就使得所述箝位开关开通。

2.根据权利要求1所述的开关电路,其中所述偏置电路包括第 一偏置二极管,以及允许与穿过所述第一偏置二极管的电流方向相 反的电流流过的第二二极管。

3.根据权利要求1所述的开关电路,进一步包括驱动器单元, 所述驱动器单元连接到所述场效应晶体管的所述栅极,所述偏置电 路被布置在所述驱动器单元中。

4.根据权利要求2所述的开关电路,进一步包括与所述第一偏 置二极管串联的栅极电阻器单元,使得所述第二二极管的路径并不 包括所述栅极电阻器单元,所述第二二极管为反并联二极管或开通 路径二极管。

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