[发明专利]高能效集成电路(IC)操作的按管芯电压设计有效

专利信息
申请号: 200780019992.0 申请日: 2007-06-27
公开(公告)号: CN101454740A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: T·拉阿尔-阿拉比;A·穆赫塔罗格鲁;M·比坦 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F1/28 分类号: G06F1/28
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王 英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 能效 集成电路 ic 操作 管芯 电压 设计
【权利要求书】:

1.一种电子装置,包括:

存储器件,用于存储与一个或多个电压值相对应的一个或多个比特,所述一个或多个电压值使得一个逻辑工作在与峰值性能电压级相比的较低电压级上,以降低功耗;以及

电压源,用于根据所存储的一个或多个电压值在所述较低电压级上产生电压,

其中,所述逻辑可工作在对应于所述较低电压级的第一频率上,并且可工作在对应于所述峰值性能电压级的第二频率上,

其中,所述第一频率和所述第二频率对应于同一个预定的频段。

2.如权利要求1所述的装置,其中,所述存储器件、所述电压源或所述逻辑中的一个或多个都在同一个集成电路管芯上。

3.如权利要求1所述的装置,其中,所述一个或多个电压值对应于一个或多个预定的功率状态。

4.如权利要求1所述的装置,其中,所述存储器件包括非易失性存储器件。

5.如权利要求1所述的装置,其中,所述峰值性能电压级对应于使得所述逻辑能够成功地工作在峰值运行速度上的电压级。

6.如权利要求1所述的装置,还包括一个或多个处理器内核,其中,所述一个或多个处理器内核中的至少一个包含所述存储器件和所述电压源。

7.如权利要求1所述的装置,还包括一个或多个处理器内核,其中,所述一个或多个处理器内核中的至少一个、所述存储器件和所述电压源在 同一个集成电路管芯上。

8.一种用于操作电子装置的方法,包括:

确定第一电压级;以及

在存储器件中存储与所述第一电压级相对应的一个或多个数据比特,以使一个逻辑在第一频率和所述第一电压级上的操作与所述逻辑在第二频率和第二电压级上工作时相比功耗更少,

其中,所述第一频率和所述第二频率在同一个预定的频段内,并且与所述第二电压级相比,所述第一电压级具有较低值。

9.如权利要求8所述的方法,还包括:确定所述逻辑在所述第一电压级上工作期间产生的功率泄露的值。

10.如权利要求8所述的方法,还包括:确定所述逻辑在所述第一电压级上工作期间该逻辑的动态电容的值。

11.如权利要求8所述的方法,还包括:确定所述逻辑在所述第一电压级上工作期间该逻辑的热设计功耗。

12.如权利要求8所述的方法,还包括:基于与所述逻辑的功率泄露和动态电容相对应的存储值,确定该逻辑的热设计功耗。

13.如权利要求8所述的方法,其中,所述第二频率和所述第二电压级对应于所述逻辑的峰值性能配置。

14.一种计算系统,包括:

显示设备,用于显示一个或多个图像;

非易失性存储器,用于存储与电压值相对应的一个或多个比特,所述电压值使得计算器件的一部分工作在与峰值性能电压级相比的较低电压级上,以减少所述计算器件的该部分的功耗;以及 

可编程电压源,其耦合到所述显示设备,并且用于根据所存储的电压值在所述较低电压级上产生电压,

其中,所述计算器件的该部分可工作在对应于所述较低电压级的第一频率上,并且可工作在对应于所述峰值性能电压级的第二频率上,

其中,所述第一频率和所述第二频率对应于同一个预定的频段。

15.如权利要求14所述的系统,其中,所述非易失性存储器存储与多个电压值中的每一个相对应的一个或多个比特,所述电压值使所述计算器件的该部分以降低的功耗工作。

16.如权利要求14所述的系统,其中,所述显示设备包括液晶显示设备。

17.如权利要求16所述的系统,其中,所述计算器件包括多个处理器内核,以产生与所述一个或多个图像相对应的数据。

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