[发明专利]喷淋板、和使用它的等离子体处理装置及处理方法及电子装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200780020248.2 申请日: 2007-06-13
公开(公告)号: CN101461038A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 桶作正广;后藤哲也;大见忠弘;石桥清隆 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/316;H01L21/318
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 喷淋 使用 等离子体 处理 装置 方法 电子 制造
【权利要求书】:

1.一种喷淋板,该喷淋板配置在等离子体处理装置的处理 室中,为了在处理室中产生等离子体而排出等离子体激励用气 体,

将喷淋板设为一体物,在该喷淋板上设置用于导入来自等 离子体处理装置的气体导入口的等离子体激励用气体的横孔、 和与该横孔相连通,并用于排出等离子体激励用气体的纵孔, 该横孔自该喷淋板的侧面朝向中心部地设置且该横孔沿着该喷 淋板的周向设有多个。

2.一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置将权利要 求1所述的喷淋板配置在处理室中。

3.一种等离子体处理方法,该等离子体处理方法使用权利 要求1所述的喷淋板,将等离子体激励用气体供给到等离子体 处理装置中,利用微波激励所供给的等离子体激励用气体而产 生等离子体,使用该等离子体对基板实施氧化、氮化、氧氮化、 CVD、蚀刻、或等离子体照射。

4.一种电子装置的制造方法,包含利用权利要求3所述的 等离子体处理方法来处理基板的工序。

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