[发明专利]页面擦除的非易失性半导体存储器

权利要求书

1.一种非易失性存储器阵列中的页面的擦除方法，所述非易失性存 储器阵列具有衬底上的多个存储器单元串、越过所述串到存储器单元的页 面的字线和将电压施加到每一字线的导通晶体管，所述方法包括：

启用所选择块的每一导通晶体管；

在所选择块的多个所选择字线的每一个，施加公共选择电压到所述导 通晶体管；

在所选择块的多个未选择字线的每一个，施加公共未选择电压到所述 导通晶体管；并且

施加衬底电压到所述所选择块的所述衬底，所述衬底电压和每一所选 择字线的结果电压之间的电压差值使得所选择字线的存储器单元的页面 被擦除，并且所述衬底电压和每一未选择字线的结果电压之间的电压差值 低于擦除未选择字线的存储器单元的页面的电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，选择电压和未选择电压通过 字线解码器施加到所选择块的所述导通晶体管，所述字线解码器适用于施 加选择电压到任意导通晶体管以及施加未选择电压到任意其它导通晶体 管。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所选择字线包括由至少一个 未选择字线隔离的所选择字线。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述未选择字线包括由至少 一个所选择字线隔离的未选择字线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，每一所选择字线的结果电压 等于所述选择电压，并且每一未选择字线的结果电压等于所述未选择电 压。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，选择电压为0伏，并且未选 择电压等于所施加的衬底电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，每一所选择字线的结果电压 等于所述选择电压，并且每一未选择字线的结果电压为从未选择电压向所 述衬底电压耦合的浮置电压。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，到所述所选择块的每一导通 晶体管的公共栅极信号的值为V2，所述未选择电压大于V2并且所述未选 择字线预充电到V2-Vtn，并且其中V2小于所施加的衬底电压，Vtn是导 通晶体管的阈值电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，V2至少为所施加的衬底电压 的50%。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，在未选择块中，低于所述未 选择电压的电压被施加到每一导通晶体管之后，截止到字线的所有导通晶 体管，并且浮置所述字线以防止擦除。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述未选择电压与所施加到 衬底的电压比与所述选择电压更接近。

12.一种非易失性存储器阵列中的页面的擦除方法，所述非易失性存 储器阵列具有衬底上的多个存储器单元串、越过所述串到存储器单元的页 面的字线和将电压施加到每一字线的导通晶体管，所述方法包括：

启用所选择块的每一导通晶体管；

在所选择块的至少一个所选择字线的每一个，施加选择电压到所述导 通晶体管；

在所选择块的至少一个未选择字线的每一个，施加未选择电压到所述 导通晶体管；并且

施加衬底电压到所述所选择块的所述衬底，所述未选择电压与所述施 加的衬底电压比与所述选择电压更接近，所述衬底电压和每一所选择字线 的结果电压之间的电压差值使得所选择字线的存储器单元的页面被擦除， 并且所述衬底电压和每一未选择字线的结果电压之间的电压差值低于擦 除未选择字线的存储器单元的页面的电压。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，选择电压和未选择电压通 过字线解码器施加到所选择块的所述导通晶体管，所述字线解码器适用于 施加选择电压到任意导通晶体管以及施加未选择电压到任意其它导通晶 体管。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所选择字线包括由至少一 个未选择字线隔离的所选择字线。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述未选择字线包括由至 少一个所选择字线隔离的未选择字线。