[发明专利]热处理方法和热处理装置、基板处理装置

权利要求书

1.一种热处理方法，其特征在于，包括：

准备具有通过涂布形成的膜的基板的步骤；和

在具有还原性的有机化合物的气氛下，对所述基板进行加热的步骤。

2.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：

所述有机化合物包括醇、醛和羧酸中的至少一种以上。

3.一种热处理方法，其特征在于，包括：

准备形成有低介电常数层间绝缘(low-k)膜的基板的步骤；和

在具有还原性的有机化合物的气氛下，对所述基板进行加热的步骤。

4.如权利要求3所述的热处理方法，其特征在于：

所述有机化合物包括醇、醛和羧酸中的至少一种。

5.一种热处理方法，其特征在于，包括：

将具有通过涂布形成的膜的基板收容在处理容器内的步骤；

向所述处理容器内供给具有还原性的气相的有机化合物的步骤；和

在供给所述气相的有机化合物后的所述处理容器内，对所述基板进行加热的步骤。

6.如权利要求5所述的热处理方法，其特征在于：

所述气相的有机化合物通过利用不活泼气体使液相或固相的有机化合物起泡而生成。

7.如权利要求6所述的热处理方法，其特征在于：

供给所述有机化合物时，将用于稀释所述有机化合物的稀释气体供给至所述处理容器内。

8.如权利要求5所述的热处理方法，其特征在于：

所述处理容器内的基板的加热，一边将所述处理容器内减压至规定的压力一边进行。

9.如权利要求5所述的热处理方法，其特征在于：

所述有机化合物包括醇、醛和羧酸中的至少一种。

10.一种热处理方法，其特征在于，包括：

将形成有低介电常数层间绝缘(low-k)膜的基板收容在处理容器内的步骤；

向所述处理容器内供给具有还原性的气相的有机化合物的步骤；和

在供给所述气相的有机化合物后的所述处理容器内，对所述基板进行加热的步骤。

11.如权利要求10所述的热处理方法，其特征在于：

所述气相的有机化合物通过利用不活泼气体使液相或固相的有机化合物起泡而生成。

12.如权利要求11所述的热处理方法，其特征在于：

供给所述有机化合物时，将用于稀释所述有机化合物的稀释气体供给至所述处理容器内。

13.如权利要求10所述的热处理方法，其特征在于：

所述处理容器内的基板的加热，一边将所述处理容器内减压至规定的压力一边进行。

14.如权利要求10所述的热处理方法，其特征在于：

所述有机化合物包括醇、醛和羧酸中的至少一种。

15.一种热处理装置，其特征在于，具有：

处理容器，收容具有通过涂布形成的膜的基板；

有机化合物供给机构，向所述处理容器内供给具有还原性的气相的有机化合物；和

加热机构，在供给所述气相的有机化合物后的所述处理容器内，对基板进行加热。

16.如权利要求15所述的热处理装置，其特征在于：

所述有机化合物供给机构通过利用不活泼气体使液相或固相的有机化合物起泡，成为气相，供给至所述处理容器内。

17.如权利要求15所述的热处理装置，其特征在于：

还具有将用于稀释所述有机化合物的稀释气体供给至所述处理容器内的稀释气体供给机构。

18.如权利要求15所述的热处理装置，其特征在于：

还具有至少在用所述加热机构对基板进行加热时，将所述处理容器内减压至规定的压力的减压机构。

19.如权利要求15所述的热处理装置，其特征在于：

所述有机化合物供给机构供给包括醇、醛和羧酸中的至少一种的有机化合物。