[发明专利]防止衬底支座引起的金属污染的方法有效

专利信息
申请号: 200780020392.6 申请日: 2007-05-31
公开(公告)号: CN101467243A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: E·德克姆潘尼尔;M·P·科尔克;R·格罗内恩;C·L·阿克曼;C·温卡特拉曼 申请(专利权)人: 贝卡尔特股份有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/687
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李 帆
地址: 比利时茨*** 国省代码: 比利时;BE
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摘要:
搜索关键词: 防止 衬底 支座 引起 金属 污染 方法
【权利要求书】:

1.提高衬底润湿性的方法,该方法包括:

在衬底上施加附着促进层,该附着促进层由选自元素周期表中IVB族元素、 VB族元素、和VIB族元素的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物的一个或多个层 组成;和

向所述衬底至少局部提供导电的、无金属的、亲水的碳基涂层,所述碳基 涂层掺杂有氮,所述碳基涂层具有低于108Ω-cm的电阻率,

其中所述衬底选自如下:传送和/或承载半导体衬底的部件、传送和/或承 载高纯度液体的部件、复印机部件以及电火花加工应用中所用的部件;

其中在施加所述碳基涂层之前在所述衬底上施加所述附着促进层。

2.依据权利要求1的方法,其中所述碳基涂层包含0.1-20原子%的氮。

3.依据权利要求1或2的方法,其中所述碳基涂层包含掺杂氮的类金刚石 碳涂层,所述掺杂氮的类金刚石碳涂层包含无定形的氢化碳。

4.依据权利要求1或2的方法,其中所述碳基涂层包含掺杂氮的类金刚石 纳米复合物涂层,所述掺杂氮的类金刚石纳米复合物涂层包含C、H、O和Si。

5.依据权利要求4的方法,其中所述类金刚石纳米复合物涂层包含两个互 相贯穿的网络:氢稳定的类金刚石碳网络中主要为sp3键合碳的第一网络,和氧 稳定的硅的第二网络。

6.衬底,所述衬底包含:

在所述衬底上的附着促进层,所述附着促进层由选自元素周期表中IVB族 元素、VB族元素、和VIB族元素的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物的一个或 多个层组成;和

至少局部涂覆在所述衬底上的导电的、无金属的、亲水的碳基涂层,所述 无金属的导电碳基涂层掺杂有氮,所述碳基涂层具有低于108Ω-cm的电阻率,

其中所述衬底选自如下:传送和/或承载半导体衬底的部件、传送和/或承 载高纯度液体的部件、复印机部件以及电火花加工应用中所用的部件;

其中在施加所述碳基涂层之前在所述衬底上施加所述附着促进层。

7.依据权利要求6的衬底,其中所述碳基涂层包含0.1-20原子%的氮。

8.依据权利要求6或7的衬底,其中所述碳基涂层包含掺杂氮的类金刚石 碳涂层,该掺杂氮的类金刚石碳涂层包含无定形的氢化碳。

9.依据权利要求6或7的衬底,其中所述碳基涂层包含掺杂氮的类金刚石 纳米复合物涂层,所述掺杂氮的类金刚石纳米复合物涂层包含C、H、O和Si。

10.依据权利要求9的衬底,其中所述类金刚石纳米复合物涂层包含两个互 相贯穿的网络:氢稳定的类金刚石碳网络中主要为sp3键合碳的第一网络,和氧 稳定的硅的第二网络。

11.用去离子水清洗衬底的方法,所述方法包括步骤:

-提供衬底,所述衬底上具有附着促进层,且所述附着促进层由选自元素 周期表中IVB族元素、VB族元素、和VIB族元素的金属的碳化物、氮化物、碳 氮化物的一个或多个层组成;所述衬底至少局部涂覆有导电的、无金属的、亲 水的碳基涂层,所述碳基涂层掺杂有氮,并且电阻率低于108Ω-cm;和

-用去离子水清洗所述衬底;

其中所述附着促进层在施加所述碳基涂层之前施加到所述衬底上。

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