[发明专利]防止衬底支座引起的金属污染的方法有效
申请号: | 200780020392.6 | 申请日: | 2007-05-31 |
公开(公告)号: | CN101467243A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | E·德克姆潘尼尔;M·P·科尔克;R·格罗内恩;C·L·阿克曼;C·温卡特拉曼 | 申请(专利权)人: | 贝卡尔特股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李 帆 |
地址: | 比利时茨*** | 国省代码: | 比利时;BE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 衬底 支座 引起 金属 污染 方法 | ||
1.提高衬底润湿性的方法,该方法包括:
在衬底上施加附着促进层,该附着促进层由选自元素周期表中IVB族元素、 VB族元素、和VIB族元素的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物的一个或多个层 组成;和
向所述衬底至少局部提供导电的、无金属的、亲水的碳基涂层,所述碳基 涂层掺杂有氮,所述碳基涂层具有低于108Ω-cm的电阻率,
其中所述衬底选自如下:传送和/或承载半导体衬底的部件、传送和/或承 载高纯度液体的部件、复印机部件以及电火花加工应用中所用的部件;
其中在施加所述碳基涂层之前在所述衬底上施加所述附着促进层。
2.依据权利要求1的方法,其中所述碳基涂层包含0.1-20原子%的氮。
3.依据权利要求1或2的方法,其中所述碳基涂层包含掺杂氮的类金刚石 碳涂层,所述掺杂氮的类金刚石碳涂层包含无定形的氢化碳。
4.依据权利要求1或2的方法,其中所述碳基涂层包含掺杂氮的类金刚石 纳米复合物涂层,所述掺杂氮的类金刚石纳米复合物涂层包含C、H、O和Si。
5.依据权利要求4的方法,其中所述类金刚石纳米复合物涂层包含两个互 相贯穿的网络:氢稳定的类金刚石碳网络中主要为sp3键合碳的第一网络,和氧 稳定的硅的第二网络。
6.衬底,所述衬底包含:
在所述衬底上的附着促进层,所述附着促进层由选自元素周期表中IVB族 元素、VB族元素、和VIB族元素的金属的碳化物、氮化物、碳氮化物的一个或 多个层组成;和
至少局部涂覆在所述衬底上的导电的、无金属的、亲水的碳基涂层,所述 无金属的导电碳基涂层掺杂有氮,所述碳基涂层具有低于108Ω-cm的电阻率,
其中所述衬底选自如下:传送和/或承载半导体衬底的部件、传送和/或承 载高纯度液体的部件、复印机部件以及电火花加工应用中所用的部件;
其中在施加所述碳基涂层之前在所述衬底上施加所述附着促进层。
7.依据权利要求6的衬底,其中所述碳基涂层包含0.1-20原子%的氮。
8.依据权利要求6或7的衬底,其中所述碳基涂层包含掺杂氮的类金刚石 碳涂层,该掺杂氮的类金刚石碳涂层包含无定形的氢化碳。
9.依据权利要求6或7的衬底,其中所述碳基涂层包含掺杂氮的类金刚石 纳米复合物涂层,所述掺杂氮的类金刚石纳米复合物涂层包含C、H、O和Si。
10.依据权利要求9的衬底,其中所述类金刚石纳米复合物涂层包含两个互 相贯穿的网络:氢稳定的类金刚石碳网络中主要为sp3键合碳的第一网络,和氧 稳定的硅的第二网络。
11.用去离子水清洗衬底的方法,所述方法包括步骤:
-提供衬底,所述衬底上具有附着促进层,且所述附着促进层由选自元素 周期表中IVB族元素、VB族元素、和VIB族元素的金属的碳化物、氮化物、碳 氮化物的一个或多个层组成;所述衬底至少局部涂覆有导电的、无金属的、亲 水的碳基涂层,所述碳基涂层掺杂有氮,并且电阻率低于108Ω-cm;和
-用去离子水清洗所述衬底;
其中所述附着促进层在施加所述碳基涂层之前施加到所述衬底上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贝卡尔特股份有限公司,未经贝卡尔特股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780020392.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造