[发明专利]氧化物烧结体、靶、用它制得的透明导电膜以及透明导电性基材

权利要求书

1.一种氧化物烧结体，含有氧化锌和镁，并且镁的含量以 Mg/(Zn+Mg)的原子数比计为0.02～0.30，是将平均粒径3μm以下 的氧化锌粉末和平均粒径3μm以下的氧化镁粉末混合、烧结而制 得，其特征在于实质上不含氧化镁相。

2.权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于镁的含量以 Mg/(Zn+Mg)的原子数比计为0.05～0.18。

3.权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其特征在于电阻率为 50kΩcm以下。

4.一种氧化物烧结体，其特征在于含有氧化锌、镁、以及镓 和/或铝，并且镓和/或铝的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子数比 计大于0并为0.09以下，并且，镁的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg) 的原子数比计为0.02～0.30，并且实质上不含氧化镁相。

5.权利要求4所述的氧化物烧结体，其特征在于镁的含量以 Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子数比计为0.05～0.18。

6.权利要求4所述的氧化物烧结体，其特征在于镓和/或铝的 含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子数比计为0.01～0.08。

7.权利要求4所述的氧化物烧结体，其特征在于镓和/或铝的 含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子数比计为0.035～0.08，并且，镁 的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子数比计为0.098～0.18。

8.权利要求4～7任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于由下 述式(A)表示的采用X射线衍射测定法测得的峰强度比为15％以 下，

I[MgGa₂O₄(311)+MgAl₂O₄(311)]/I[ZnO(101)]×100(％)...(A)

式中，I[MgGa₂O₄(311)+MgAl₂O₄(311)]为呈立方晶系岩盐构造 的复合氧化物MgGa₂O₄相的(311)峰强度与MgAl₂O₄相的(311)峰 强度之和，I[ZnO(101)]表示呈六方晶系纤锌矿构造的氧化锌相的 (101)峰强度。

9.权利要求4～8任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于电阻 率为5kΩcm以下。

10.权利要求1～9任一项所述的氧化物烧结体，其特征在于氧 化物烧结体通过热压法成形、烧结而制得。

11.一种靶，由权利要求1～10任一项所述的氧化物烧结体加工 制得。

12.权利要求11所述的靶，其特征在于其密度为5.0g/cm³以 上，并且用于溅射法。

13.权利要求11所述的靶，其特征在于其密度为3.5～4.5g/cm³， 并且用于离子电镀法。

14.一种透明导电膜，它是采用权利要求11～13任一项所述的 靶通过溅射法或离子电镀法在基板上形成的。

15.权利要求14所述的透明导电膜，其特征在于含有氧化锌和 镁，并且，镁的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子数比计为0.02～0.30。

16.权利要求14所述的透明导电膜，其特征在于含有氧化锌、 镁、以及镓和/或铝，镓和/或铝的含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原 子数比计大于0并为0.09以下，并且，镁的含量以 Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子数比计为0.02～0.30。

17.权利要求16所述的透明导电膜，其特征在于镁的含量以 Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子数比计为0.05～0.18。