[发明专利]ZnO系半导体元件无效
| 申请号： | 200780021185.2 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101473454A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 中原健;汤地洋行;田村谦太郎;赤坂俊辅;川崎雅司;塚崎敦;大友明 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | zno 半导体 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种ZnO系半导体元件，其特征在于，在主面具有C面的MgxZn1-xO(0≤x<1)基板上，c轴至少向m轴方向倾斜Φm度，
所述Φm满足0<Φm≤3的条件，且在所述主面形成有ZnO系半导体层。
2.如权利要求1所述的ZnO系半导体元件，其特征在于，所述C面由+C面构成。
3.如权利要求1或2所述的ZnO系半导体元件，其特征在于，所述主面的c轴向a轴方向倾斜Φa度，
所述Φa满足70≤{90-(180/π)arctan(tanΦa/tanΦm)}≤110的条件。
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