[发明专利]氢传感器无效
申请号: | 200780021243.1 | 申请日: | 2007-04-20 |
公开(公告)号: | CN101467030A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | I·帕弗洛弗斯基;R·L·芬克;Z·雅尼弗 | 申请(专利权)人: | 应用纳米技术控股股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 郭 辉 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 | ||
本申请是美国专利申请第11/551630号的部分后续案,该申请要求美 国临时申请第60/728980号和PCT申请PCT/US2006/030314的优先权,所 有这些专利申请都通过引用结合于此。本申请是美国专利申请第 10/854,420号的部分后续案,该申请要求美国临时申请第60/475,558号和 PCT申请PCT/US2006/030314的优先权,该申请要求以下临时专利申请的优 先权:60/728,353和60/728,980,这两个申请通过引用结合于此。本申请 还要求美国临时申请第60/793,377的优先权,该临时申请通过引用结合于 此。
背景技术
使用钯金属检测气态氢的传感器是一个两步过程,其中,双原子的氢 分子在钯金属表面分裂成单原子氢,然后,单原子氢扩散到钯晶格中,造 成钯晶格膨胀(最多至5%)和引发相变(见图1)。当钯的薄膜位于两个 电触点之间时,薄膜在接触氢时会因相变而使电阻增加。电触点的接通时 间(响应时间)通常不够迅速而不能进行商业应用,比如用于氢燃料电池。
附图简述
图1是钯发生相变的薄膜氢气传感器的图解;
图2说明氢气传感器中的电流变化;
图3是位于电阻基片上的氢传感器的示意图,箭头显示电流的方向, 其中,电阻器代表基片;
图4说明一种两步的、在电阻基片上涂镀钯纳米颗粒的方法;
图5的表格说明本发明的实施方式的纳米颗粒的粒径和密度的变化;
图6(a)-6(d)列出显示本发明的实施方式的粒径和密度变化的代表性 的扫描电子显微图像;
图7图示本发明的实施方式的传感器在60℃下对40,000ppm的氢气的 响应曲线图;
图8说明传感器在60℃下对400ppm的氢气的响应曲线图;
图9是根据本发明的实施方式,直径(d)对于两个相邻的钯纳米颗粒的 颗粒间距(1)的俯视示意图;
图10A图示说明根据本发明的实施方式的传感器元件;
图10B图示说明根据本发明的实施方式的具有钛制参考元件的传感器 对;
图10C图示说明根据本发明的实施方式的与载体印刷电路板电线连接 的传感器对;
图10D图示说明根据本发明的实施方式的实心模式的有源元件;
图10E图示说明根据本发明的实施方式的条纹模式的有源元件;
图11图示说明传感器的操作;
图12图示说明用于测试所述传感器的装置;
图13(a)-(b)说明氢传感器的电阻的变化;
图14(a)-(b)说明氢传感器的初始电阻;
图15图示说明传感器对温度和浓度的响应。
发明详述
一个有待解决的问题是找到用于快速氢气传感器的粒径和密度范 围。本文公开的粒径和密度范围能在高氢气浓度下达到10秒或更短的响应 时间。
美国专利第6,849,911中公开了另一种用于生产钯基氢传感器的方 法,该方法通过电化学沉积技术在电阻基片上制造钯纳米颗粒网状物,该 专利通过引用结合于此。当钯纳米颗粒在两个电触点之间的电阻基片上发 生膨胀时,会使碰巧位于两个相邻的纳米颗粒下方的电阻基片中的微小电 阻短路。根据大规模的统计,该基片的端到端电阻与氢气的量成比例下 降。因此,该传感器测量氢气,而不只是检测它的存在。
(a)钯纳米颗粒网状物对薄膜或纳米金属丝(nanowire)(现有技术)
钯薄膜是一种连续的表面,原子间是正常的金属连接。钯薄膜对氢浓 度增加的响应具有正的系数。即,电阻随着氢浓度的增加而增加(见图1)。与 低电阻开关类似,钯纳米金属丝的电阻随着与氢接触的增加而减小(见图 2)。当纳米颗粒膨胀并沿着金属丝整体长度相互接触时,所述开关接通。它 对浓度梯度比较不敏感。当增加与氢的接触时,钯纳米颗粒网状物的电阻 响应是电阻的逐渐降低(见图3)。
(b)电阻基片和钯‘纳米开关’的使用(现有技术:美国专利第 6,849,911)
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