[发明专利]图像传感器以及显示器有效
申请号: | 200780021615.0 | 申请日: | 2007-06-11 |
公开(公告)号: | CN101467443A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·詹姆斯·布朗;本·詹姆斯·海德文 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335;G02F1/1368;G06F3/041;G09G3/20;G09G3/36;H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈瑞丰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 以及 显示器 | ||
1.一种图像传感器,包括至少一个传感器元件,每一个所述传 感器元件包括半导体放大元件、积分电容器、以及光电二极管,
所述光电二极管具有:第一电极,与半导体放大元件的第一控制 电极和积分电容器的第一端子连接;以及第二电极,与第一控制输入 连接,
其中将所述第一控制输入设置为:在感测阶段期间接收第一电 压,以将光电二极管反向偏置;以及在复位阶段期间接收第二电压, 以将光电二极管正向偏置,从而将积分电容器充电至预定电压。
2.根据权利要求1所述的传感器,其中,循环地重复所述复位和 感测阶段。
3.根据权利要求1或2所述的传感器,其中,所述光电二极管是 横向光电二极管。
4.根据权利要求1或2所述的传感器,其中,所述光电二极管是 薄膜二极管。
5.根据权利要求1或2所述的传感器,其中,所述半导体放大元 件包括电压跟随器结构。
6.根据权利要求1或2所述的传感器,其中,所述半导体放大元 件包括第一晶体管。
7.根据权利要求6所述的传感器,其中,所述第一晶体管是薄膜 晶体管。
8.根据权利要求6所述的传感器,其中,所述第一晶体管是场效 应晶体管。
9.根据权利要求5所述的传感器,其中,所述半导体放大元件包 括第一晶体管,所述第一晶体管是场效应晶体管,连接所述第一晶体 管作为源极跟随器,以及第一控制电极包括晶体管栅极。
10.根据权利要求1或2所述的传感器,包括半导体选择元件,所 述半导体选择元件具有:主传导路径,所述主传导路径与半导体放大 元件的主传导路径串联;以及第二控制电极,所述第二控制电极与第 二输入连接,以在读取阶段期间对传感器元件的选择加以控制。
11.根据权利要求10所述的传感器,其中,所述选择元件包括第 二晶体管。
12.根据权利要求11所述的传感器,其中,所述第二晶体管是薄 膜晶体管。
13.根据权利要求1或2所述的传感器,其中,所述积分电容器具 有与第二控制输入连接的第二端子,将所述第二控制输入设置为:在 感测阶段期间接收第三电压,以禁用半导体放大元件,并允许利用积 分电容器对来自光电二极管的光电流进行积分;以及在读取阶段期间 接收第四电压,以使能半导体放大元件。
14.根据权利要求1或2所述的传感器,其中,所述至少一个传感 器元件包括多个传感器元件,将所述多个传感器元件设置为包括行和 列的第一阵列。
15.根据权利要求14所述的传感器,包括第一行控制输入,所述 第一行控制输入中的每个与相应行的传感器元件的第一控制输入连 接。
16.根据权利要求14所述的传感器,包括半导体选择元件,所述 半导体选择元件具有:主传导路径,所述主传导路径与半导体放大元 件的主传导路径串联;第二控制电极,所述第二控制电极与第二输入 连接,以在读取阶段期间对传感器元件的选择加以控制;以及第二行 控制输入,所述第二行控制输入中的每个与相应行的传感器元件的第 二控制输入连接。
17.根据权利要求14所述的传感器,包括列输出,所述列输出中 的每个与相应列的传感器元件的输出连接。
18.根据权利要求17所述的传感器,其中,每列与相应的偏置元 件连接。
19.根据权利要求18所述的传感器,其中,每个偏置元件包括第 三晶体管。
20.根据权利要求19所述的传感器,其中,每个第三晶体管是薄 膜晶体管。
21.根据权利要求14所述的传感器,包括有源矩阵寻址结构,用 于对传感器元件进行寻址。
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