[发明专利]用于形成太阳能电池板的系统结构及其方法

权利要求书

1、一种集群工具设备，包括：

多个六边形传送腔；

一个或多个缓冲腔，其与所述六边形传送腔相邻并连接在所述六边形传送腔之间；

一个或多个P型掺杂硅沉积腔，其连接到所述六边形传送腔中的一者；

一个或多个N型掺杂硅沉积腔，其连接到所述六边形传送腔中的一者；以及

多个本征硅沉积腔，其连接到所述多个六边形传送腔，所述本征硅沉积腔的数目大于所述P型掺杂硅沉积腔的数目以及所述N型掺杂硅沉积腔的数目之和。

2、如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个P型掺杂硅沉积腔以及所述一个或多个N型掺杂硅沉积腔连接到同一个传送腔。

3、如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个缓冲腔包括狭口阀。

4、如权利要求1所述的设备，其中，所述一个或多个P型掺杂硅沉积腔以及所述一个或多个N型掺杂硅沉积腔连接到所述多个六边形传送腔的第一六边形传送腔，所述多个本征硅沉积腔连接到所述多个六边形传送腔的第二六边形传送腔。

5、如权利要求1所述的设备，其中，所述多个六边形传送腔包括三个六边形传送腔，所述一个或多个P型掺杂硅沉积腔以及所述一个或多个N型掺杂硅沉积腔连接到所述三个六边形传送腔的第一六边形传送腔，所述多个本征硅沉积腔连接到所述三个六边形传送腔的第二和第三六边形传送腔。

6、如权利要求1所述的设备，还包括：

一个装载锁定腔，其连接到所述多个六边形传送腔的第一六边形传送腔；以及

一个卸载锁定腔，其连接到所述多个六边形传送腔的第二六边形传送腔。

7、如权利要求6所述的设备，其中，所述N型掺杂硅沉积腔的数目和所述P型掺杂硅沉积腔的数目以及所述本征硅沉积腔的数目之和等于十二个腔。

8、如权利要求1所述的设备，其中，所述多个六边形传送腔包括三个以非线性排列方式连接到一起的六边形传送腔。

9、如权利要求1所述的设备，其中，所述N型掺杂硅沉积腔的数目和所述P型掺杂硅沉积腔的数目以及所述本征硅沉积腔的数目之和等于十三个腔。

10、一种形成PIN结的方法，包括：

(a)将第一衬底设置在P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第一衬底上；

(b)将所述第一衬底传送到第一本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第一衬底上的所述P型掺杂硅层上；

(c)将第二衬底设置所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第二衬底上；

(d)将所述第二衬底传送到第二本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第一衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行；

(e)将第三衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第三衬底上；

(f)将所述第三衬底传送到第三本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第三衬底上的所述P型掺杂硅层上，所述将本征硅层沉积在所述第三衬底上的所述P型掺杂硅层上与所述将本征硅层沉积在所述第二衬底上的所述P型掺杂硅层上同时进行；

(g)将第四衬底设置在所述P型掺杂硅沉积腔中并将P型掺杂硅层沉积在所述第四衬底上；

(h)将所述第一衬底传送到N型掺杂硅沉积腔并将N型掺杂硅层沉积在所述第一衬底上的所述本征硅层上；和

(i)将所述第四衬底传送到所述第一本征硅沉积腔并将本征硅层沉积在所述第四衬底上的所述P型掺杂硅层上。

11、如权利要求10所述的方法，其中，(h)发生在(g)之前，并且所述第一衬底和所述第四衬底是同一衬底，还包括：

重复(b)-(h)。

12、如权利要求11所述的方法，其中，所述本征硅层是本征非晶硅层。

13、如权利要求11所述的方法，其中，一个本征硅层是本征非晶硅层，另一个本征硅层是本征微晶硅层。

14、如权利要求11所述的方法，其中，所述本征硅层是本征微晶硅层。

15、如权利要求10所述的方法，其中，所述本征硅层是本征非晶硅层。