[发明专利]离子束辐射装置以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种离子束辐射装置，其利用从离子源抽取的离子束来辐射目标，所述离子束辐射装置包括：

场发射电子源，所述场发射电子源设置在所述离子束的路径的附近并且发射电子，所述场发射电子源具有导电阴极基板、多个微小发射器以及抽取电极，其中，所述多个微小发射器形成在所述导电阴极基板上，并且所述多个微小发射器的每个都具有尖型，而所述抽取电极以形成微小间隙的方式分别围绕在所述发射器的尖端的附近，

其中，将所述场发射电子源以一个方向设置，在沿着该方向上，由从所述发射电子源所发射的电子与平行于所述离子束的行进方向的方向所形成的入射角处于-15度至+45度的范围内，其中，靠近所述离子束的方向为“+”，并且远离所述离子束的方向为“-”。

2.根据权利要求1所述的离子束辐射装置，其中，将所述场发射电子源以一个方向设置，以使得在沿着该方向上，所述入射角处于-15度至+30度的范围内。

3.根据权利要求1所述的离子束辐射装置，其中，将所述场发射电子源以一个方向设置，以使得在沿着该方向上，所述入射角处于为0度至+15度的范围内。

4.根据权利要求1所述的离子束辐射装置，其中，将所述场发射电子源以一个方向设置，以使得在沿着该方向上，所述入射角为0度。

5.根据权利要求1所述的离子束辐射装置，其中，将所述场发射电子源以一个方向设置，以使得在沿着该方向上，电子被朝向所述离子束的行进方向的下游侧发射。

6.根据权利要求1所述的离子束辐射装置，其中，

将所述场发射电子源以一个方向设置，在沿着该方向上，电子被朝向所述离子束的行进方向的上游侧发射。

7.根据权利要求1所述的离子束辐射装置，其中，所述场发射电子源设置在所述离子束的所述路径的两侧。

8.根据权利要求1所述的离子束辐射装置，其中，在所述场发射电子源的位置处，所述离子束具有一种形状，在所述形状中，在所述行进方向X所交叉的平面中的Y方向上的尺度大于与所述Y方向相垂直的Z方向上的尺度，并且所述场发射电子源具有在所述Y方向上延伸的形状。

9.一种制造半导体器件的方法，其中，通过利用根据权利要求1至8中任何一项所述的离子束辐射装置，以离子束来辐射作为目标的半导体基板，从而执行离子注入，进而在所述半导体基板上制造多个半导体器件。

10.一种离子束辐射装置，其利用从离子源抽取的离子束来辐射目标，所述离子束辐射装置包括：

电子源，所述电子源设置在所述离子束的路径的附近并且发射电子，使得所述电子在所述离子束的所述路径中以与所述离子束的行进方向相反的方向行进，

其中，将所述电子源以一个方向设置，在沿着该方向上，由从所述电子源所发射的电子与平行于所述离子束的行进方向的方向所形成的入射角处于-15度至+45度的范围内，其中，靠近所述离子束的方向为“+”，并且远离所述离子束的方向为“-”。

11.根据权利要求10所述的离子束辐射装置，其中，将所述电子源以一个方向设置，以使得在沿着该方向上，所述入射角处于-15度至+30度的范围内。

12.根据权利要求10所述的离子束辐射装置，其中，将所述电子源以一个方向设置，以使得在沿着该方向上，所述入射角处于为0度至+15度的范围内。

13.根据权利要求10所述的离子束辐射装置，其中，将所述电子源以一个方向设置，以使得在沿着该方向上，所述入射角处于0度。

14.根据权利要求10所述的离子束辐射装置，其中，所述电子源设置在所述离子束的所述路径的两侧。

15.根据权利要求10所述的离子束辐射装置，其中，所述电子源为场发射电子源，并且，所述场发射电子源具有导电阴极基板、多个微小发射器以及抽取电极，其中，所述多个微小发射器形成在所述导电阴极基板上，并且所述多个微小发射器的每个都具有尖型，而所述抽取电极以形成微小间隙的方式分别围绕在所述发射器的尖端的附近。