[发明专利]薄膜形成方法

权利要求书

1.薄膜形成方法，它是通过在900hPa以上的压力气氛中向旋转中心轴相对于基板平行的圆筒状的旋转电极供给电力，从而在所述旋转电极和基板之间的间隙中生成等离子体，使用生成的等离子体，通过所供给的反应气体的化学反应而在基板上形成薄膜的薄膜形成方法，其特征在于，

所述旋转电极和基板之间的间隙宽度为2mm～7mm，

向所述旋转电极供给频率为100kHz～1MHz的高频电力。

2.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，作为所述薄膜，形成金属氧化膜。

3.如权利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述金属氧化膜是选自SiO₂、TiO₂、ZnO和SnO₂的1种以上的氧化膜。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述高频电力的频率为300kHz～800kHz。

5.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述压力气氛的压力在1100hPa以下。

6.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述旋转电极和基板之间的间隙宽度为3mm～5mm。

7.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，在将所述基板相对于所述旋转电极沿与旋转中心轴大致垂直的方向移动搬运的同时，在所述基板上形成薄膜。