[发明专利]以密闭式晶胞结构增加信道密度的次微米平面半导体功率器件

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其位于一半导体衬底上，特征在于，该半导体功率 器件包含：

数个晶体管晶胞，每一个晶体管晶胞具有一源极与一漏极区域，位于 该半导体衬底上的栅极区域的两侧，其中栅极电极被形成为一位于栅极区 域顶部的栅极电极层，以控制该源极与漏极区域间的电流传输；

所述的位于半导体衬底顶部的栅极电极层被图案化为波状的长条，以 实质上增加介于该源极与漏极区域间越过栅极的电流传导面积；

一第一绝缘层，其覆盖该半导体器件并且具有数个贯穿第一绝缘层的 接触点开口槽，该接触点开口槽填满源极金属接触点与漏极金属接触点， 以供各自与该源极与本体区域进行接触；

一第一金属层，其被图案化为数个金属条，其包含数个与源极金属接 触点接触的源极金属条和数个与漏极金属接触点接触的漏极金属条；

一第二绝缘层，其覆盖所述的金属条，其中该第二绝缘层具有数个穿 透其本身的源极中介窗接触点与漏极中介窗接触点，以各自连接至源极金 属条以及漏极金属条；以及

一第二金属层，其位于第二绝缘层顶部，并且被图案化为一源极金属 和一漏极金属，以各自连接至源极中介窗接触点与漏极中介窗接触点；

其中，所述的源极金属条和漏极金属条分别具有不同的宽度，该源极 金属条的下方部分比该源极金属条的上方部分宽，以减少该下方部分的源 极电阻，并且该源极金属条的上方部分具有一较窄的宽度，以供漏极金属 条的上方部分具有较大的宽度，以减少在上方部分的漏极电阻。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的栅极电极层更 包含一多晶硅层，位于所述的半导体衬底顶部并且被图案化为数个波状的 多晶硅长条。

3.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的栅极电极层更 包含栅极流道，其连接至已图案化为波状长条的栅极电极层，以构成栅极 电极网格，以减少栅极电阻。

4.如权利要求3所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的栅极流道更连 接至一栅极衬垫，该栅极衬垫设置于半导体衬底的四周。

5.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，根据制程与设计的最 小间距法则，所述的栅极电极层被图案化为在两邻近的波状长条间具有最 小的距离。

6.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，更包含有：所述的源 极金属与所述的漏极金属设置于半导体功率器件顶部的两相对侧。

7.如权利要求4所述的半导体功率器件，其特征在于，更包含有：一栅极金 属，其与栅极衬垫接触，以作为一外部的栅极电极。