[发明专利]半导体加工系统的清洁

权利要求书

1.一种从离子注入机的真空室及其内容纳的组件去除残余物的 方法，所述方法包括使所述真空室和/或组件与选自XeF₂、 XeF₆、IF₇、F₂、Cl₂、HCl、ClO₂、COCl₂、CCl₄、CHCl₃、CH₂Cl₂和CH₃Cl的气相反应性卤化物组合物，在充分条件下接触足 够长的时间，以至少部分地去除所述残余物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子注入机用于微电 子器件制造。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述组件是所述离子注入 机的离子源区组件。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述离子源区中的离子 源包括选自由非直接加热阴极离子源、Freeman离子源和 Bernas离子源组成的组中的离子源。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述组件选自由真空室、 源电弧室、源绝缘体、提取电极、抑制电极、高电压绝缘体和 源绝缘套管所组成的组。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气相反应性材料包括 选自由XeF₂和XeF₆组成的组中的气体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气相反应性材料包括 XeF₂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述残余物包括选自由硅、 硼、磷、锗、砷、钨、钼、硒、锑、铟、钽和碳组成的组中的 元素。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法在预定时间和接 触条件下实施。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述预定接触条件包括低 于大气压的预定压力。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述预定压力不高于4.0 托。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述接触以预定时间重复。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述残余物与构成所述 组件的材料不相同时，所述气相反应性卤化物组合物与构成所 述组件的所述材料基本上是不反应的，并且其中当所述残余物 与构成所述组件的材料相同时，所述气相反应性卤化物组合物 与在所述至少一个组件上的所述残余物以及构成所述组件的 所述材料两者发生反应。

14.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在完成所述接触后抽 空所述真空室。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括重复所述接触至少 一次。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气相反应性卤化物组 合物通过加热容纳在由加热器加热的蚀刻剂容器中的源而产 生。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述加热器包括烘箱或 加热线圈。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气相反应性卤化物组 合物容纳在蚀刻剂容器中并将惰性气体引入到所述蚀刻剂容 器内，以便将所述气相反应性卤化物组合物输送至所述真空 室。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述惰性气体包括选自 由氩气、氮气、氙气和氦气所组成的组中的气体。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂容器位于所述 真空室内或位于所述真空室的上游。

21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述蚀刻剂容器包含预 先测定量的所述气相反应性卤化物组合物。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述气相反应性卤化物 组合物通过升华形成。