[发明专利]高硅含量的薄膜热固性材料

权利要求书

1.一种组合物，包含：

(a)包含至少一种通式((A)_jR₁SiO_(3-j)/2)的重复单元和至少一种通式((A)_kR₂SiO_(3-k)/2)的重复单元的聚合物，其中每个R₁单独地是在任何光化波长下吸收的相同或不同的发色团；每个R₂单独地选自氢、烷基、烯基、环烷基和芳烷基；每个A是形成上述重复单元中任一的单体的未反应官能团；j和k各自是落入0≤j≤1和0≤k≤1的范围内的整数，R₁与R₂的比为约1:99至约60:40；

(b)卤化物源；和

(c)溶剂。

2.权利要求1的组合物，其中R₁与R₂的比为约10:90至约30:70。

3.权利要求1或2的组合物，其中R₂是烷基或烯基。

4.权利要求1-3中任一项的组合物，其中R₁选自未取代和取代的芴，亚乙烯基亚苯基，蒽，苝，苯基，查耳酮，邻苯二甲酰亚胺，双羟萘酸，吖啶，偶氮化合物，二苯并呋喃，和它们的任何衍生物，噻吩，萘甲酸，萘，苯，，芘，氟代蒽烯，蒽酮，二苯甲酮，噻吨酮，含选自氧、氮、硫和其组合的杂原子的杂环芳族环，以及上述物质的衍生物。

5.权利要求1-4中任一项的组合物，其中该组合物还包含致孔剂。

6.权利要求1-5中任一项的组合物，其中该聚合物还包含通式(R_f)_w(R_g)_zSiO_(4-w-z)/2的单元，其中R_f和R_g各自单独地选自R₁和R₂；w和z各自是在限度0≤(w或z)≤2内的整数，条件是(4-w-z)不等于0。

7.权利要求1-6中任一项的组合物，其中该卤化物源是季铵卤化物盐或二季铵卤化物盐。

8.权利要求7的组合物，其中该卤化物源是季铵卤化物盐。

9.权利要求8的组合物，其中该季铵卤化物盐是四C_1-10卤化铵。

10.权利要求8的组合物，其中该季铵卤化物盐是四丁基氯化铵。

11.权利要求7的组合物，其中该卤化物源是二季铵卤化物盐。

12.权利要求1-11中任一项的组合物，其中该卤化物源按约1-约20％的量存在，基于该组合物的总树脂固体计。

13.在基材上形成图像的方法，包括a)用权利要求1-12中任一项的组合物涂覆该基材；b)加热步骤a)的涂层；c)在步骤b)的涂层上由光致抗蚀剂溶液形成涂层；d)加热该光致抗蚀剂涂层以从该涂层中基本上除去溶剂；e)将该光致抗蚀剂涂层成像式曝光；f)使用含水碱性显影剂将图像显影；g)任选地，在显影之前和之后加热该基材；和h)干蚀刻步骤b)的组合物。

14.一种制品，包含：基材；在该基材上的抗反射组合物，该抗反射组合物是权利要求1-12中任一项的抗反射组合物；和在该抗反射组合物上方的光致抗蚀剂组合物层。

15.权利要求1-12中任一项的组合物用于权利要求13的方法中的用途。

16.权利要求1-12中任一项的组合物用于在基材上形成抗反射涂层的用途。