[发明专利]用于生产半导体级硅的装置和方法

权利要求书

1.用于生产半导体级硅锭块的方法，其中通过以下步骤充分减少 或消除了热区中氧的存在：

-在由氮化硅、碳化硅或这些的复合物制成的坩埚中，结晶半 导体级硅锭块，任选还包括进料硅材料的熔融，

-在硅锭块结晶期间，将所述坩埚容纳在具有惰性气氛的密封 热区中，任选还包括进料硅材料的熔融，

-在热区中使用包括热绝缘元件的承载构建元件，该承载构建 元件由碳和/或石墨材料制成，和

-在热区中使用由氮化硅Si₃N₄制成的电绝缘元件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述坩埚用无氧化物的隔离 涂层涂覆。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体级结晶方法是布 里奇曼法或相关的定向凝固法、块浇铸法、或者用于单晶硅晶体生长 的CZ法。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其中形成的硅锭块是 太阳能级硅锭块。

5.用于制造半导体级硅锭块的装置，其包括具有惰性气氛的热区， 其中

-在热区中包括热绝缘元件的所述装置的所有承载构建元件由 碳和/或石墨材料制成，

-在热区中的所述电绝缘元件由氮化硅Si₃N₄制成，和

-坩埚由氮化硅Si₃N₄、或者碳化硅SiC或者这些的复合物制成。

6.根据权利要求5所述的装置，其中用无氧化物的隔离涂层涂覆 所述坩埚。

7.浇铸用于光伏应用的多晶晶片生产用锭块的结晶炉，其特征在 于在热区中的所有承载和功能元件由非氧化物的材料制成。

8.根据权利要求5或7所述的熔炉，其中所述浇铸坩埚由氮化硅 Si₃N₄、碳化硅SiC或者这些的复合物制成。

9.根据权利要求5或7所述的熔炉，其中所述电绝缘元件由Si₃N₄制成。