[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法及光电转换元件

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

等离子体反应室；

第一阴极-阳极对，布置在所述等离子体反应室内部，并包括第一阴极；以及

第一电源供应单元，在连续波形交流电源和脉冲调制交流电源之间切换第一输出电源，并向所述第一阴极提供所述第一输出电源。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，还包括：

气体压力改变单元，能够改变所述等离子体反应室中的气体压力。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中

所述第一电源供应单元包括：

电源输出单元，提供所述连续波形交流电源，以及

调制单元，在所述脉冲调制交流电源将被提供作为所述第一输出电源时对由所述电源输出单元提供的所述连续波形交流电源进行脉冲调制，并在所述连续波形交流电源将被提供作为所述第一输出电源时停止所述脉冲调制以使所述连续波形交流电源通过。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中

所述第一电源供应单元包括：

连续波形电源输出单元，提供所述连续波形交流电源，

脉冲电源输出单元，提供所述脉冲调制交流电源，以及

切换单元，将所述第一输出电压在所述连续波形电源输出单元的输出与所述脉冲电源输出单元的输出之间切换。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，还包括：

第二阴极-阳极对，布置在所述等离子体反应室中并包括第二阴极。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，还包括：

阻抗匹配电路，在所述第一阴极-阳极对与所述第一电源供应单元之间进行阻抗匹配，以及在所述第二阴极-阳极对与所述第一电源供应单元之间进行阻抗匹配。

7.如权利要求5所述的等离子体处理装置，还包括：

第一阻抗匹配电路，在所述第一阴极-阳极对与所述第一电源供应单元之间进行阻抗匹配；

第二电源供应单元，将第二输出电源在所述连续波形交流电源与所述脉冲调制交流电源之间切换，并向所述第二阴极提供所述第二输出电源；以及

第二阻抗匹配电路，在所述第二阴极-阳极对与所述第二电源供应单元之间进行阻抗匹配。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中

所述等离子体处理装置是制造硅基薄膜光电转换元件的装置，该硅基薄膜光电转换元件至少包括i型非晶硅基光电转换层和i型晶体硅基光电转换层，以及

所述调制单元在形成所述i型非晶硅基光电转换层时输出所述脉冲调制交流电源，并在形成所述i型晶体硅基光电转换层时输出所述连续波形交流电源。

9.一种等离子体处理方法，在公共的等离子体反应室中进行至少两种等离子体处理，该等离子体处理方法包括步骤：

通过采用连续波形交流电源作为用于所述等离子体处理的电源进行第一等离子体处理；

通过采用脉冲调制交流电源作为用于所述等离子体处理的电源进行第二等离子体处理；以及

将用于所述等离子体处理的所述电源在所述连续波形交流电源与所述脉冲调制交流电源之间切换。

10.如权利要求9所述的等离子体处理方法，其中

所述第二等离子体处理中的放电起始电压设置得比所述第一等离子体处理中的放电起始电压高。

11.如权利要求9所述的等离子体处理方法，其中

阴极-阳极对布置在所述等离子体反应室中，以及

在所述第一等离子体处理和所述第二等离子体处理中，所述阴极-阳极对中的电极间距离是相同的。

12.如权利要求9所述的等离子体处理方法，其中

所述第一等离子体处理中的所述等离子体反应室中的气体压力不同于所述第二等离子体处理中的所述等离子体反应室中的气体压力。

13.如权利要求9所述的等离子体处理方法，其中

当电压的大小恒定时，提供到所述等离子体反应室中并在所述第一等离子体处理中分解的气体比提供到所述等离子体反应室中并在所述第二等离子体处理中分解的气体更容易离子化。