[发明专利]半导体发光元件及可变波长激光器光源

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包含：

半导体基板(11)；

活性层(12)，其在所述半导体基板上以条状形成，且放出光及进行波导；

在所述活性层的侧面形成的埋入层(13a，13b)；

在所述活性层及所述埋入层的上方形成的包层(16)；

在所述包层上方形成的第一电极(17a)；

在所述半导体基板的下方形成的第二电极(17b)，

所述活性层相对通过劈开形成的两个端面的一端面(14a)的法线以规定角度进行开口，其特征在于，

对所述活性层的光的波导方向的规定长度部分进行加热的部分加热装置(15)，形成在所述第一电极的上方且在自所述一端面位置热独立的位置。

2.一种半导体发光元件，其为脊波导路型，包含：

半导体基板(51)；

在所述半导体基板上形成的活性层(53)；

在所述活性层的上方形成的包层(54)；

在所述包层的上方形成的绝缘膜(56)；

在所述绝缘膜上方形成的第一电极(57a)；

在所述半导体基板的下方形成的第二电极(57b)，

在所述活性层的上方具有脊部，且所述活性层相对通过劈开形成的两个端面的一端面(58a)的法线以规定的角度进行开口，其特征在于，

对所述活性层的光的波导方向的规定长度部分进行加热的部分加热装置(59)，形成在所述第一电极的上方且在自所述一端面位置热独立的位置。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述部分加热装置具有：

绝缘膜(151、591)、

在所述绝缘膜上形成的薄膜电阻(152、592)、

用于给所述薄膜电阻提供电力的至少两个端子部(153、593)。

4.如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述部分加热装置具有：

绝缘膜(151、591)、

在所述绝缘膜上形成的薄膜电阻(152、592)、

用于给所述薄膜电阻提供电力的至少两个端子部(153、593)。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述活性层相对通过劈开形成的另一端面(14b、58b)大致垂直地进行开口。

6.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述活性层相对通过劈开形成的另一端面(14b、58b)的法线以规定的角度进行开口，且所述部分加热装置形成在自所述另一端面位置热独立的位置。

7.一种可变波长激光器光源，其特征在于，含有：

权利要求1～6中任一项所述的半导体发光元件(1)；

在所述半导体发光元件的所述一端面形成的防止反射膜(19)；

射出光返回装置(2)，其配置在从所述一端面发出的光的光轴上，使从所述一端面发出的光返回到所述一端面；

波长选择装置(3)，其对由所述半导体发光元件和所述射出光返回装置构成的激光共振器的振荡波长进行选择，

通过改变经由所述半导体发光元件的所述至少两个端子部向所述薄膜电阻供给的电力及所述波长选择装置选择的波长，使所述激光共振器的振荡波长进行变化。