[发明专利]利用胶体二氧化硅的氧化硅抛光方法无效
申请号: | 200780024138.3 | 申请日: | 2007-06-14 |
公开(公告)号: | CN101479836A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 本杰明·拜尔;陈湛;杰弗里·张伯伦;罗伯特·瓦卡西 | 申请(专利权)人: | 卡伯特微电子公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋 莉 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 胶体 二氧化硅 氧化 抛光 方法 | ||
1.一种化学-机械抛光基板的方法,该方法包括:
(i)提供包含至少一层氧化硅的基板,
(ii)提供化学-机械抛光组合物,该抛光组合物包含:
(a)液体载体,及
(b)悬浮于该液体载体中的具有20nm至30nm平均初级粒径的溶胶-凝胶胶体二氧化硅研磨剂颗粒,
(iii)使该基板接触抛光垫和该化学-机械抛光组合物,
(iv)相对于该抛光垫和该化学-机械抛光组合物移动该基板,及
(v)磨除该氧化硅的至少一部分以抛光该基板。
2.权利要求1的方法,其中该液体载体包含水。
3.权利要求1的方法,其中该研磨剂颗粒具有20nm至28nm的平均初级粒径。
4.权利要求1的方法,其中该研磨剂颗粒具有25nm的平均初级粒径。
5.权利要求1的方法,其中,基于该液体载体及任何溶解或悬浮于其中的组分的重量,该研磨剂颗粒的存在量为5重量%或更高。
6.权利要求1的方法,其中,基于该液体载体及任何溶解或悬浮于其中的组分的重量,该研磨剂颗粒的存在量为7重量%至30重量%。
7.权利要求6的方法,其中该液体载体包含水。
8.权利要求7的方法,其中该研磨剂颗粒具有20nm至28nm的平均初级粒径。
9.权利要求8的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有5或更低的pH值。
10.权利要求1的方法,其中该化学-机械抛光组合物包含氧化剂,该氧化剂氧化该基板的至少一部分。
11.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有小于7的pH值。
12.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有5或更低的pH值。
13.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有4或更低的pH值。
14.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有3.5或更低的pH值。
15.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有2至3.5的pH值。
16.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有2.3至3.3的pH值。
17.权利要求1的方法,其中,以500/min至4000/min的速率将该氧化硅从该基板移除。
18.权利要求1的方法,其中,以1000/min至3000/min的速率将该氧化硅从该基板移除。
19.权利要求1的方法,其中该基板进一步包含至少一层钨。
20.权利要求19的方法,其中,以1000/min至3000/min的速率将所述钨从该基板移除。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡伯特微电子公司,未经卡伯特微电子公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780024138.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造