[发明专利]利用胶体二氧化硅的氧化硅抛光方法无效

专利信息
申请号: 200780024138.3 申请日: 2007-06-14
公开(公告)号: CN101479836A 公开(公告)日: 2009-07-08
发明(设计)人: 本杰明·拜尔;陈湛;杰弗里·张伯伦;罗伯特·瓦卡西 申请(专利权)人: 卡伯特微电子公司
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋 莉
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 利用 胶体 二氧化硅 氧化 抛光 方法
【权利要求书】:

1.一种化学-机械抛光基板的方法,该方法包括:

(i)提供包含至少一层氧化硅的基板,

(ii)提供化学-机械抛光组合物,该抛光组合物包含:

(a)液体载体,及

(b)悬浮于该液体载体中的具有20nm至30nm平均初级粒径的溶胶-凝胶胶体二氧化硅研磨剂颗粒,

(iii)使该基板接触抛光垫和该化学-机械抛光组合物,

(iv)相对于该抛光垫和该化学-机械抛光组合物移动该基板,及

(v)磨除该氧化硅的至少一部分以抛光该基板。

2.权利要求1的方法,其中该液体载体包含水。

3.权利要求1的方法,其中该研磨剂颗粒具有20nm至28nm的平均初级粒径。

4.权利要求1的方法,其中该研磨剂颗粒具有25nm的平均初级粒径。

5.权利要求1的方法,其中,基于该液体载体及任何溶解或悬浮于其中的组分的重量,该研磨剂颗粒的存在量为5重量%或更高。

6.权利要求1的方法,其中,基于该液体载体及任何溶解或悬浮于其中的组分的重量,该研磨剂颗粒的存在量为7重量%至30重量%。

7.权利要求6的方法,其中该液体载体包含水。

8.权利要求7的方法,其中该研磨剂颗粒具有20nm至28nm的平均初级粒径。

9.权利要求8的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有5或更低的pH值。

10.权利要求1的方法,其中该化学-机械抛光组合物包含氧化剂,该氧化剂氧化该基板的至少一部分。

11.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有小于7的pH值。

12.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有5或更低的pH值。

13.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有4或更低的pH值。

14.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有3.5或更低的pH值。

15.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有2至3.5的pH值。

16.权利要求1的方法,其中该具有任何溶解或悬浮于其中的组分的液体载体具有2.3至3.3的pH值。

17.权利要求1的方法,其中,以500/min至4000/min的速率将该氧化硅从该基板移除。

18.权利要求1的方法,其中,以1000/min至3000/min的速率将该氧化硅从该基板移除。

19.权利要求1的方法,其中该基板进一步包含至少一层钨。

20.权利要求19的方法,其中,以1000/min至3000/min的速率将所述钨从该基板移除。

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