[发明专利]单晶硅的制造系统及使用该系统的单晶硅的制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅的制造系统，是为了使通过采用切克劳斯基法的提拉装置制造出来的单晶硅的结晶品质在目标规格内，设计出将提拉速度F与结晶固液界面轴方向温度梯度G的比F/G的值，控制在规定范围内的制造条件的制造系统，其特征在于至少具备以下自动化的手段：

手段1，根据前一批制造出来的单晶硅的结晶品质结果，暂时设计下一批要制造的单晶硅的制造条件；

手段2，先预测起因于在下一批所使用的提拉装置的组成构件而造成的下一批的F及/或G的变化量，然后算出修正量，使F/G的值被控制在规定范围内；

手段3，先预测起因于下一批的制造步骤而造成的下一批的F及/或G的变化量，然后算出修正量，使F/G的值被控制在规定范围内；以及

手段4，将依据上述手段2及/或上述手段3所算出的F及/或G的修正量，加入由上述手段1暂时设计的制造条件中，来算出下一批要制造的单晶硅的制造条件。

2.如权利要求1所述的单晶硅的制造系统，其中上述手段2，至少根据上述在下一批所使用的提拉装置的组成构件的交换及/或经时变化，算出修正量。

3.如权利要求1或2所述的单晶硅的制造系统，其中成为上述F及/或G变化的因素的组成构件，至少包含以下至少一种：用于提拉要被制造出来的单晶硅的吊线、用于收容上述单晶硅的原料的石英坩埚、用于支持该石英坩埚的石墨坩埚、以及用于熔解上述单晶硅的原料的加热器。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的单晶硅的制造系统，其中上述手段3，至少根据以下的至少一种，来算出修正量：从上述原料的熔融完成至开始提拉单晶硅的时间；

在多重拉制中的同一批内，之前已提拉的单晶硅的累计长度和初期设定的累计长度的差异。

5.一种单晶硅的制造方法，其特征在于：采用权利要求1～4中的任一项所述的单晶硅的制造系统，来制造单晶硅。

6.一种单晶硅的制造方法，是权利要求5所述的单晶硅的制造方法，制造出N区域的单晶。

7.如权利要求5或6所述的单晶硅的制造方法，其中定期地修改通过上述手段2或手段3算出来的修正量。