[发明专利]抗漏电的芳族聚酰胺纱无效
申请号: | 200780024283.1 | 申请日: | 2007-06-19 |
公开(公告)号: | CN101479636A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | S·威廉森;H·J·F·M·范德文;H·扬森 | 申请(专利权)人: | 帝人芳纶有限公司 |
主分类号: | G02B6/44 | 分类号: | G02B6/44;D06M13/292 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;于 静 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 漏电 聚酰胺 | ||
1.一种芳族聚酰胺纱,具有包含有机物质的整理剂成分,如此选择在所述整理剂中的有机物质的量,以便在20℃下作为在水中的50wt%的整理剂成分测量时,所述整理剂具有0.2mS/cm至200mS/cm的电导率,并且如此选择在所述纱上的所述整理剂的量,以便所述纱具有4×104至1.2×107欧姆·cm的电阻率。
2.根据权利要求1的芳族聚酰胺纱,其中如此选择在所述整理剂中的有机物质的量,以便所述整理剂具有1mS/cm至50mS/cm的电导率。
3.根据权利要求1或2的芳族聚酰胺纱,其中如此选择在所述整理剂中的有机物质的量和在所述纱上的所述整理剂的量,以获得电阻率为7×104至1×106欧姆·cm的纱。
4.根据权利要求1-3中任何一项的芳族聚酰胺纱,其中所述纱包含1至30wt%、优选8至22wt%的所述整理剂成分。
5.根据权利要求1-4中任何一项的芳族聚酰胺纱,其中所述有机物质包含至少一种静态可充电的可为盐形式的酸基或碱基。
6.根据权利要求5的芳族聚酰胺纱,其中所述有机物质包含羧酸酯、膦酸酯、磷酸酯、磺酸酯、硫酸酯和胺基团中的至少一种,或者其中所述有机物质为咪唑衍生物或季铵化合物。
7.根据权利要求6的芳族聚酰胺纱,其中所述有机物质为(烷基)膦酸酯、(烷基)磷酸酯的盐,或者为季铵化合物。
8.根据权利要求1-7中任何一项的芳族聚酰胺纱,其中所述芳族聚酰胺为聚对苯二甲酰对苯二胺(PPTA)。
9.根据权利要求8的芳族聚酰胺纱,其中所述芳族聚酰胺具有大于90GPa的模量。
10.一种利用权利要求1-9中任何一项的芳族聚酰胺纱的束加强的ADSS线缆。
11.根据权利要求10的ADSS线缆,其中单独的纱的束具有1000至40000dtex的线密度。
12.根据权利要求10或11的ADSS线缆,其中外护套由抗漏电的聚合物制成。
13.一种用于制造权利要求10至12中任何一项的ADSS线缆的方法,其中用包含有机物质的整理剂成分处理芳族聚酰胺纱,其中如此选择在所述整理剂中的有机物质的量,以便在20℃下作为在水中的50wt%的整理剂成分测量时,所述整理剂具有0.2mS/cm至200mS/cm的电导率,并且其中如此选择在所述纱上的所述整理剂的量,以使所述纱具有4×104至1.2×107欧姆·cm的电阻率,并且此后将所述纱的束嵌入线缆中,所述线缆包括常用于ADSS线缆的构件。
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